[發明專利]基于晶硅的薄膜太陽能電池及其形成方法有效

申請號：	201110417423.X	申請日：	2011-12-14
公開（公告）號：	CN102446990A	公開（公告）日：	2012-05-09
發明（設計）人：	傅建明;楊瑞鵬	申請（專利權）人：	杭州賽昂電力有限公司
主分類號：	H01L31/0352	分類號：	H01L31/0352;H01L31/077;H01L31/20
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司 11227	代理人：	駱蘇華
地址：	311215 浙江省杭***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	基于薄膜太陽能電池及其形成方法
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【權利要求書】：

1.一種基于晶硅的薄膜太陽能電池，其特征在于，包括：

基板，所述基板的材料為單晶硅或多晶硅；

位于所述基板上表面的光電轉換單元，所述光電轉換單元依次包括：P型半導體層、I型半導體層和N型半導體層；

位于所述光電轉換單元上表面的抗反射層；

位于所述抗反射層上表面的正面電極；

位于所述基板下表面的背面電極；

所述P型半導體層包括多個摻雜離子濃度不同的P型半導體子層，所述P型半導體子層按照摻雜離子濃度大小依次層疊設置，位于所述I型半導體層表面的P型半導體子層的摻雜離子濃度最小；所述N型半導體層包括多個摻雜離子濃度不同的N型半導體子層，所述N型半導體子層按照摻雜離子濃度大小依次層疊設置，位于所述I型半導體層表面的N型半導體子層的摻雜離子濃度最小。

2.如權利要求1所述的基于晶硅的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述P型半導體層中摻雜離子濃度的取值范圍包括：1E10/cm³～1E20/cm³。

3.如權利要求1所述的基于晶硅的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述N型半導體層中摻雜離子濃度的取值范圍包括：1E10/cm³～1E20/cm³。

4.如權利要求1所述的基于晶硅的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述P型半導體層的厚度范圍包括：

5.如權利要求1所述的基于晶硅的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述N型半導體層的厚度范圍包括：

6.一種基于晶硅的薄膜太陽能電池的形成方法，其特征在于，包括：

提供材料為單晶硅或多晶硅的基板；

在所述基板的上表面形成光電轉換單元，包括：依次形成P型半導體層、I型半導體層和N型半導體層；形成所述P型半導體層包括：形成多個摻雜離子濃度不同的P型半導體子層，所述P型半導體子層按照摻雜離子濃度大小依次層疊設置，位于所述I型半導體層表面的P型半導體子層的摻雜離子濃度最小；形成所述N型半導體層包括：形成多個摻雜離子濃度不同的N型半導體子層，所述N型半導體子層按照摻雜離子濃度大小依次層疊設置，位于所述I型半導體層表面的N型半導體子層的摻雜離子濃度最小；

在所述光電轉換單元上表面形成抗反射層；

在所述抗反射層的上表面形成正面電極；

在所述基板的下表面形成背面電極。

7.如權利要求6所述的基于晶硅的薄膜太陽能電池的形成方法，其特征在于，所述P型半導體層或N型半導體層采用多次離子注入方式形成。

8.如權利要求6所述的基于晶硅的薄膜太陽能電池的形成方法，其特征在于，所述P型半導體層的厚度范圍包括：所述N型半導體層的厚度范圍包括：

9.如權利要求6所述的基于晶硅的薄膜太陽能電池的形成方法，其特征在于，所述P型半導體層中摻雜離子濃度的取值范圍包括：1E10/cm³～1E20/cm³；所述N型半導體層中摻雜離子濃度的取值范圍包括：1E10/cm³～1E20/cm³。

10.如權利要求6所述的基于晶硅的薄膜太陽能電池的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述抗反射層之前，先在所述光電轉換單元上采用熱氧化工藝形成一層厚度范圍位于的二氧化硅。

11.一種基于晶硅的薄膜太陽能電池，其特征在于，包括：

基板，所述基板的材料為單晶硅或多晶硅；

依次位于所述基板上的I型半導體層和P型半導體層；或者，依次位于所述基板上的I型半導體層、P型半導體層和N型半導體層；

所述P型半導體層包括多個摻雜離子濃度不同的P型半導體子層，所述P型半導體子層按照摻雜離子濃度大小依次層疊設置，位于所述I型半導體層表面的P型半導體子層的摻雜離子濃度最小。

12.如權利要求11所述的基于晶硅的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述P型半導體層的厚度范圍包括：