[發(fā)明專利]有機小分子熱蒸發(fā)坩堝組件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110417162.1 | 申請日: | 2011-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN102392218A | 公開(公告)日: | 2012-03-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 曹進;容佳玲;王立;張建華 | 申請(專利權)人: | 上海大學 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 200436*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 分子 蒸發(fā) 坩堝 組件 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種真空熱蒸發(fā)工藝設備,特別是涉及一種有機小分子熱蒸發(fā)坩堝組件。
背景技術
有機半導體技術由于其低成本、可柔性、易于大面積成膜等特點而成為當前研究開發(fā)的熱點,基于有機半導體材料的有機發(fā)光、有機太陽能、有機薄膜晶體管、有機激光、有機存儲、有機傳感器等近年來都在快速的發(fā)展中。有機半導體材料有小分子和聚合物兩種,有機小分子器件一般采用真空熱蒸發(fā)技術制備,而聚合物器件一般采用溶液法制備,由于技術的相對成熟,基于真空熱蒸發(fā)工藝的有機小分子器件近年來得到了相對較快的發(fā)展。
有機小分子器件的制備過程一般是在高真空(10-3Pa~10-7Pa)環(huán)境下,通過加熱坩堝內的有機材料使其熔化、揮發(fā),從而沉積到坩堝上方的基片上,對于有機材料的真空熱蒸發(fā)工藝來說,為提高有機薄膜均勻性,在線性蒸發(fā)源以及坩堝的上方常加上有一定空間分布的出料孔的上蓋,由于有機材料的蒸發(fā)一般使用絕緣的石英、陶瓷坩堝,這些絕緣材料的傳熱性能較差,因此常造成出料孔處材料的聚集和堵塞,從而影響有機材料的蒸發(fā)速率的控制。
鑒于此,實有必要設計一種有機小分子熱蒸發(fā)坩堝組件,用于解決上述技術問題。
發(fā)明內容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種有機小分子熱蒸發(fā)坩堝組件,用于解決現(xiàn)有技術中因坩堝出料孔處受熱不均勻,導致蒸發(fā)材料聚集和堵塞,影響有機材料蒸發(fā)速率控制的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的,本發(fā)明提供一種有機小分子熱蒸發(fā)坩堝組件,其設置于外部加熱絲之間加熱,該坩堝組件包括坩堝本體100以及位于所述坩堝本體上的蓋板;所述蓋板上設有若干出料孔,該坩堝組件還包括貫穿所述蓋板的導熱桿,該導熱桿自所述蓋板延伸至坩堝底部。
優(yōu)選地,所述導熱桿自所述蓋板延伸至坩堝內部。
優(yōu)選地,所述導熱桿自所述蓋板延伸至坩堝與外部加熱絲之間。
優(yōu)選地,所述蓋板的材料為金屬材料或者具有傳熱性的絕緣材料。
優(yōu)選地,所述導熱桿的材料為金屬材料或者具有傳熱性的絕緣材料。
優(yōu)選地,所述蓋板的厚度為0.05~0.2mm,所述出料孔大小相等,數(shù)目為四個,呈中心對稱排列,所述導熱桿位于該中心。
優(yōu)選地,所述導熱桿為螺桿。
優(yōu)選地,所述導熱桿與蓋板之間采用螺栓固定。
如上所述,本發(fā)明一種有機小分子熱蒸發(fā)坩堝組件,有效的解決了現(xiàn)有技術中因坩堝出料孔處受熱不均勻,導致蒸發(fā)材料聚集和堵塞,影響有機材料蒸發(fā)速率控制的問題。
附圖說明
圖1顯示為本發(fā)明有機小分子熱蒸發(fā)坩堝組件示意圖。
圖2顯示為本發(fā)明有機小分子熱蒸發(fā)坩堝組件中蓋板的俯視圖。
元件標號說明
坩堝本體????????????????????????????????????????100
蓋板????????????????????????????????????????????101
出料孔??????????????????????????????????????????1011、1012
導熱桿??????????????????????????????????????????102
具體實施方式
以下由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式,熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。
請參閱圖1至圖2。須知,本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內容,以供熟悉此技術的人士了解與閱讀,并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件,故不具技術上的實質意義,任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整,在不影響本發(fā)明所能產生的功效及所能達成的目的下,均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時,本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語,亦僅為便于敘述的明了,而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍,其相對關系的改變或調整,在無實質變更技術內容下,當亦視為本發(fā)明可實施的范疇。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





