[發明專利]光刻裝置及其光刻方法

有效

• 申請號: 201110416901.5
• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN103163742A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 李術新;孫剛;段立峰
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00;G03F7/00
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

1.一種光刻裝置，包括：

產生曝光光束的光源；

用于調整所述光源發出的光束的照明裝置；

用于承載掩模的掩模臺；

用于對掩模圖案進行成像的成像光學系統；

用于承載硅片的工件臺；

和，用于對硅片標記及掩模標記進行對準的機器視覺對準系統；

其中，所述機器視覺對準系統具有照明系統、視覺成像系統和用于采集硅片標記或掩模標記所成的像的探測器，所述探測器具有第一探測單元和第二探測單元，所述第一探測單元比所述第二探測單元的捕獲范圍大、探測精度低。

2.一種機器視覺對準系統，包括：

照明系統；

視覺成像系統；

和，用于采集硅片標記或掩模標記所成的像的探測器，所述探測器具有第一探測單元和第二探測單元，所述第一探測單元比所述第二探測單元的捕獲范圍大、探測精度低。

3.根據權利要求2所述的對準系統，其特征在于，所述第二探測單元的尺寸較所述第一探測單元小并位于所述第一探測單元內部。

4.根據權利要求2所述的對準系統，其特征在于，所述第一探測單元和第二探測單元數量為多個且數量相等。

5.根據權利要求4所述的對準系統，其特征在于，所述第一探測單元和第二探測單元均勻分布在所述視覺成像系統的像方視場中。

6.根據權利要求2所述的對準系統，其特征在于，所述第一探測單元和第二探測單元均為CCD或均為CMOS。

7.一種使用權利要求2-6中任意一個所述的機器視覺對準系統的對準方法，包括以下步驟：

S1：掩模臺承載掩模運動，將掩模上的掩模標記置于所述對準系統物方焦面的物方視場內，并通過所述對準系統的所述照明系統照明、在第一探測單元中成像；

S2：采集第一探測單元中的圖像信息，計算掩模標記在第一探測單元中的位置，并計算掩模標記相對掩模臺的位置；

S3：根據步驟S2計算的結果，移動掩模臺，將掩模上掩模標記通過所述對準系統的所述照明系統照明、在第二探測單元中成像；

S4：連續多次采集第二探測單元的圖像信息，分別計算掩模標記在第二探測單元中的位置，并將所有的計算結果取平均，根據平均結果計算掩模標記相對掩模臺的位置；

S5：工件臺承載硅片運動，將硅片上的硅片標記置于所述對準系統物方焦面的物方視場內，并通過所述對準系統的所述照明系統照明、在第一探測單元中成像；

S6：采集第一探測單元的圖像信息，計算硅片標記在第一探測單元中的位置，并計算硅片標記相對于工件臺的位置；

S7：根據步驟S6計算的結果，移動工件臺，將硅片上硅片標記通過所述對準系統的所述照明系統照明，在第二探測單元中成像；

S8：連續多次采集第二探測單元中的圖像信息，分別計算硅片標記在第二探測單元中的位置，并將所有的計算結果取平均，根據平均結果計算硅片標記相對工件臺的位置；

S9：根據步驟S4、S8的計算結果，定位所述工件臺、掩模臺，使得所述掩模與硅片精確定位。

8.一種光刻方法，包括以下步驟：

使用如權利要求7所述的對準方法進行對準；

所述曝光光束經所述照明裝置，照射在掩模上，通過所述成像光學系統，將掩模圖案成像到硅片上，完成曝光。