[發明專利]一種場效應晶體硅太陽能電池的制作方法

有效

• 申請號: 201110416856.3
• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN102522453A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 萬青;竺立強;張洪亮;吳國棟
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種場效應晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：

在清洗制絨后的p型晶體硅片的背表面沉積一層含磷的二氧化硅薄膜，在含磷的二氧化硅薄膜表面制備背收集電極，引出背收集電極后，在背收集電極表面繼續沉積二氧化硅薄膜，并在該二氧化硅薄膜表面通過濺射或蒸鍍方法制備一層場效應金屬電極；最后，在場效應金屬電極與前柵電極間加載正偏壓，從而利用二氧化硅的場效應使p型晶體硅襯底背面形成反型層；

或者，在清洗制絨后的n型晶體硅片的背表面沉積一層含硼的二氧化硅薄膜，在含硼的二氧化硅薄膜表面制備背收集電極，引出背收集電極后，在背收集電極表面繼續沉積二氧化硅薄膜，并在該二氧化硅薄膜表面通過濺射或蒸鍍方法制備一層場效應金屬電極；最后，在場效應金屬電極與前柵電極間加載負偏壓，從而利用二氧化硅的場效應使n型晶體硅襯底背面形成反型層。

2.根據權利要求1所述的場效應晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：所述的含磷的二氧化硅薄膜、含硼的二氧化硅薄膜的厚度為50～200納米。

3.根據權利要求1或2所述的場效應晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征是：所述的二氧化硅薄膜的厚度為100～4000納米。