[發明專利]高速低功耗WTA靈敏放大器

有效

• 申請號: 201110415399.6
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN102522106A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 賈嵩;張洵;王源
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種高速低功耗WTA靈敏放大器，包括：依次連接的電流傳送電路、放大觸發電路、以及放大電路，其特征在于，所述放大觸發電路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、以及第六NMOS管，所述第一NMOS管的柵極與所述電路傳送電路和所述放大電路分別連接，所述第二NMOS管的柵極與所述電路傳送電路和所述放大電路分別連接，所述第一NMOS管的漏漏極和所述第二NMOS管的漏極與電源連接，所述第一NMOS管的源極與所述第四NMOS管的柵極和所述第五NMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的源極與所述第，所述第二NMOS管的源極與所述第三NMOS管的柵極和所述第六NMOS關的漏極連接，所述第五NMOS管的源極和所述第六NMOS管的源極連接、且連接點接地，所述第三NMOS管的漏極與所述第一NMOS管的柵極連接，所述第四NMOS管的漏極與所述第二NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的源極和所述第四NMOS管的源極連接、且連接點接地。

2.如權利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第三NMOS管的柵極和第四NMOS管的柵極之間設有PMOS管，所述PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的柵極連接，所述PMOS管的源極與所述第四NMOS管的柵極連接。

3.如權利要求1所述的放大器，其特征在于，所述電流傳送電路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、以及第四PMOS管，所述第一PMOS管的源極與所述第三PMOS管的漏極和所述第二PMOS管的柵極分別連接，所述第二PMOS管的源極與所述第一PMOS管的柵極和所述第三PMOS管的漏極分別連接，所述第三PMOS管的源極與所述第一NMOS管的柵極連接，所述第四PMOS管的源極與所述第二NMOS管的柵極連接。

4.如權利要求3所述的放大器，其特征在于，所述放大電路包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一電容以及第二電容，所述第五PMOS管的漏極與電源連接，所述第五PMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接，所述第五PMOS管的源極與所述第一電容的一端和所述第七NMOS管的漏極分別連接，所述第一電容的另一端接地，所述第七NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接，所述第七NMOS管的源極接地，所述第六PMOS管的漏極與電源連接，所述第六PMOS管的柵極與所述第二NMOS管的柵極連接，所述第六PMOS管的源極與所述第二電容的一端和所述第八NMOS管的漏極分別連接，所述第二電容的另一端接地，所述第六PMOS管的源極與所述第八NMOS管的漏極連接，所述第八NMOS管的柵極與所述第二NMOS管的柵極連接，所述第八NMOS管的源極接地。