[發明專利]半導體光電探測器和輻射檢測裝置

有效

• 申請號: 201110414432.3
• 申請日: 2007-12-04
• 公開（公告）號: CN102446945A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 山中辰己;佐原正哲;藤原秀紀
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體光電探測器，包括：

半導體基板，其一面為被檢測光的入射面；

在與所述半導體基板的所述入射面相反的檢測面側形成的多個pn結型光電二極管；以及

在所述半導體基板的所述檢測面側，在所述多個光電二極管中的鄰近的光電二極管之間形成的載流子捕獲部，其中

所述載流子捕獲部具有間隔排列的、分別包括pn結的一個或多個載流子捕獲區域。

2.如權利要求1所述的半導體光電探測器，其中在從所述檢測面側觀察時，所述載流子捕獲部形成為使得所述多個光電二極管中的至少一個光電二極管由間隔排列的所述多個載流子捕獲區域圍繞。

3.如權利要求1所述的半導體光電探測器，其中在所述半導體基板的所述檢測面側，在所述載流子捕獲部與所述光電二極管之間，形成具有與所述半導體基板相同的導電類型的高濃度雜質半導體區域。

4.如權利要求3所述的半導體光電探測器，其中在從所述檢測面側觀察時，所述高濃度雜質半導體區域形成為圍繞所述多個光電二極管中的至少一個光電二極管。

5.如權利要求3所述的半導體光電探測器，其中在所述半導體基板的所述檢測面側形成電極，所述電極電連接至所述載流子捕獲部的所述載流子捕獲區域，并連接至所述高濃度雜質半導體區域，并且其中

所述電極連接于基準電位。

6.如權利要求3所述的半導體光電探測器，其中在所述半導體基板的所述檢測面側，形成電連接至所述載流子捕獲部的所述載流子捕獲區域的第一電極，和電連接至所述高濃度雜質半導體區域的第二電極，并且其中

所述第一電極和所述第二電極在彼此電絕緣的同時分別連接于基準電位。

7.如權利要求1所述的半導體光電探測器，其中所述半導體基板為第一導電類型，并且所述多個光電二極管和所述一個或多個載流子捕獲區域各自包括第二導電類型的雜質半導體區域和所述半導體基板。

8.如權利要求3所述的半導體光電探測器，其中所述半導體基板和所述高濃度雜質半導體區域為第一導電類型，并且所述多個光電二極管和所述一個或多個載流子捕獲區域各自包括第二導電類型的雜質半導體區域和所述半導體基板。

9.如權利要求1所述的半導體光電探測器，其中構成所述載流子捕獲部的所述載流子捕獲區域的區域寬度w為至少1μm。

10.如權利要求1所述的半導體光電探測器，其中構成所述載流子捕獲部的所述載流子捕獲區域的區域長度L為至少1μm。

11.如權利要求1所述的半導體光電探測器，其中所述載流子捕獲部中的所述載流子捕獲區域形成為使得，在所述光電二極管的外圍的所有點上，從相應的光電二極管到載流子捕獲區域的距離小于到鄰近的光電二極管的距離。

12.一種輻射檢測裝置，包括：

根據權利要求1所述的半導體光電探測器；和

置于半導體基板的入射面側的響應于入射在其上的輻射而發光的閃爍體。