[發(fā)明專利]一種柵氧刻蝕方法和多柵極制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110414386.7
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN103165437A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳亞威
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種柵氧刻蝕方法，該刻蝕方法用于去除光刻工藝中沒有被光刻膠覆蓋的柵氧化層，其特征在于：所述刻蝕方法為濕法刻蝕，包括步驟：

主刻蝕，采用氟化氨和氟化氫的混合液為刻蝕液，對柵氧化層進(jìn)行刻蝕，主刻蝕時(shí)間由柵氧化層的厚度而定；

主過刻，采用和上述主刻蝕相同的刻蝕液進(jìn)行刻蝕，主過刻時(shí)間小于主刻蝕時(shí)間的30％；

第一輔刻蝕，采用硫酸和雙氧水的混合液為刻蝕液，對上述主過刻之后的柵氧化層進(jìn)行清洗，以去除柵氧化層上的光刻膠有機(jī)物；

第二輔刻蝕，采用氫氧化氨、雙氧水和水的混合液為刻蝕液，對上述第一輔刻蝕之后的柵氧化層進(jìn)行清洗，以去除殘余光刻膠和無機(jī)顆粒物，

其中，所述氫氧化氨、雙氧水和水的比例為1∶2∶10。

2.如權(quán)利要求1所述的柵氧刻蝕方法，其特征在于：所述氟化氨和氟化氫的體積比為50∶1。

3.如權(quán)利要求1所述的柵氧刻蝕方法，其特征在于：所述硫酸和雙氧水的比例為4∶1。

4.一種包含權(quán)利要求1所述的柵氧刻蝕方法的多柵極制作方法，用于在芯片上形成至少兩種具有不同柵極厚度的器件，其中第一器件具有第一厚度的第一柵極，第二器件具有第二厚度的第二柵極，該第二柵極厚于該第一柵極，其特征在于包括步驟：

在襯底上制作第一柵氧化層，所述第一柵氧化層的厚度等于所述第二柵極的第二厚度減所述第一柵極的第一厚度；

在所述第一柵氧化層上涂布光刻膠，以第一器件和第二器件的分布圖形對該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，去除第一器件所在區(qū)域的光刻膠；

采用如權(quán)利要求1所述的柵氧刻蝕方法對沒有被光刻膠覆蓋的第一柵氧化層進(jìn)行刻蝕；

在襯底上制作第二柵氧化層，所述第二柵氧化層的厚度等于所述第一柵極的第一厚度，該第二柵氧化層覆蓋第一器件區(qū)域上的襯底和第二器件上的第一柵氧化層；

在襯底上制作柵極層，所述柵極層覆蓋第一器件區(qū)域上的第二柵氧化層形成第一柵極，所述柵極層覆蓋第二器件區(qū)域上的第二柵氧化層形成第二柵極。

5.如權(quán)利要求4所述的多柵極制作方法，其特征在于：在制作第一柵氧化層之前，還包括對襯底進(jìn)行第一預(yù)清洗的步驟，所述第一預(yù)清洗包括步驟：

使用氟化氫清除襯底上的自然氧化物；

使用硫酸和雙氧水的混合物清除襯底上的有機(jī)物；

使用氫氧化氨、雙氧水和水的混合物清除襯底上的無機(jī)物顆粒；

使用鹽酸、雙氧水和水的混合物清楚襯底上的金屬離子。

6.如權(quán)利要求4所述的多柵極制作方法，其特征在于：在制作第二柵氧化層之前，還包括對襯底進(jìn)行第二預(yù)清洗的步驟，所述第二預(yù)清洗包括步驟：

使用氟化氫清除襯底上的自然氧化物；

使用硫酸和雙氧水的混合物清除襯底上的有機(jī)物；

使用氫氧化氨、雙氧水和水的混合物清除襯底上的無機(jī)物顆粒；

使用鹽酸、雙氧水和水的混合物清楚襯底上的金屬離子。

7.如權(quán)利要求5或6所述的多柵極制作方法，其特征在于：所述使用氟化氫清除襯底上的自然氧化物采用氫氟酸，配置所述氫氟酸時(shí)，氟化氫兌水的比例為1∶50。