[發明專利]半導體存儲器件

有效

• 申請號: 201110413991.2
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN102779828A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 鄭星雄
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種半導體存儲器件，包括：

隔離層，所述隔離層形成在襯底中并且限定有源區；

溝槽，所述溝槽形成在所述襯底中并且將所述有源區的一部分限定為有源柱；

字線，所述字線形成在所述溝槽內部；

子源線，所述子源線形成在所述溝槽之下并且與所述字線相交叉；

主源線，所述主源線形成在所述襯底之上、與所述子源線耦接、并且與所述字線相交叉；

可變電阻器圖案，所述可變電阻器圖案形成在所述有源柱之上；以及

位線，所述位線與所述可變電阻器圖案接觸并且與所述字線相交叉。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：

有源突出部，所述有源突出部與所述有源區的端部接觸；以及

雜質區，所述雜質區形成在所述有源突出部中，并且將所述子源線和所述主源線電耦接。

3.如權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述有源突出部沿著與所述有源區相交叉的方向延伸以與所述主源線重疊。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：

柵電介質層，所述柵電介質層插入在所述溝槽與所述字線之間；以及

密封層，所述密封層間隙填充所述溝槽。

5.如權利要求4所述的半導體存儲器件，還包括：

柵電極單元，所述柵電極單元被形成為與所述溝槽的兩個側壁接觸，

其中，所述字線包括與所述有源柱的兩個側壁接觸的所述柵電極單元。

6.如權利要求4所述的半導體存儲器件，其中，所述字線包括與所述溝槽的側壁接觸的柵電極。

7.如權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，所述柵電極的上表面比所述襯底的上表面更低。

8.如權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：

雜質區，所述雜質區形成在所述有源柱的表面之上；以及

歐姆接觸層，所述歐姆接觸層形成在所述雜質區之上。

9.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述溝槽包括與所述有源區和所述隔離層相交叉的線圖案。

10.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述子源線包括形成在所述襯底中且在所述溝槽之下的雜質區。

11.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述子源線與相鄰的子源線在所述字線延伸的方向上被所述隔離層隔離。

12.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述主源線包括金屬性層。

13.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，針對每個存儲墊設置所述子源線，針對每個存儲體設置所述主源線。

14.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述可變電阻器圖案包括選自相變材料層、可變電阻器層、磁隧道結層和鐵電層中的任一種。

15.一種半導體存儲器件，包括：

隔離層，所述隔離層形成在襯底中并且限定有源區；

溝槽，所述溝槽形成在所述襯底中并且將所述有源區的一部分限定為有源柱；

字線，所述字線形成在所述溝槽內部；

多個子源線，所述多個子源線形成在所述溝槽之下，并且被布置為每個子源線為存儲器單元組的子組提供源線電壓；以及

主源線，所述主源線形成在與所述子源線中的每個耦接的所述溝槽之上，其中，所述主源線為所述子源線中的每個提供所述源線電壓。

16.如權利要求15所述的半導體存儲器件，其中，所述有源柱具有形成在所述有源柱的相對側上的柵電極，并且所述柵電極被布置為與同一字線耦接。

17.如權利要求15所述的半導體存儲器件，其中，所述主源線與所述子源線延伸為平行線，并且所述子源線被耦接為向存儲器單元的存取晶體管的漏極提供通過所述主源線接收的所述源線電壓。