[發明專利]OLED器件的半透明陰極及OLED器件

無效

• 申請號: 201110413449.7
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN103165823A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 曹進;王立;榮佳玲;張建華
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種OLED器件的半透明陰極，其特征在于，所述半透明陰極由摻雜碳酸銫的高導電金屬制成，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的OLED器件的半透明陰極，其特征在于，所述碳酸銫的摻雜質量濃度為1％～30％。

3.根據權利要求1所述的OLED器件的半透明陰極，其特征在于，所述半透明陰極采用真空熱蒸發共摻雜工藝進行制作，厚度為10～25納米。

4.一種OLED器件，包括半透明陰極，其特征在于，所述半透明陰極由摻雜碳酸銫的高導電金屬制成，所述高導電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。

5.根據權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述碳酸銫的摻雜質量濃度為1％～30％。

6.根據權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述半透明陰極采用真空熱蒸發共摻雜工藝進行制作，厚度為10～25納米。

7.根據權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，還包括反射陽極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層和電子傳輸層，所述反射陽極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層和電子傳輸層自反射陽極依次疊加排布，所述半透明陰極疊加在所述電子傳輸層上。

8.根據權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述電子傳輸層由碳酸銫摻雜的電子傳輸材料制成，所述空穴阻擋層由所述電子傳輸材料制成，所述電子阻擋層由空穴傳輸材料制成，所述空穴傳輸層由摻雜高功函數無極半導體材料的空穴傳輸材料制成，所述高功函數無極半導體材料選自氧化鉬、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種。

9.根據權利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸材料選自NPB、TPD、m-MTDATA、2T-NATA、MeO-TPD中的一種或多種，所述電子傳輸材料選自Alq3、Liq、TPBi、Bphen、BAlq中的一種或多種。

10.根據權利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述反射陽極為50～200納米的鋁或銀電極。