[發(fā)明專利]OLED器件的半透明陽極及OLED器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110413446.3
• 申請(qǐng)日: 2011-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN103165822A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹進(jìn);王立;榮佳玲;張建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種OLED器件的半透明陽極，其特征在于，所述半透明陽極由摻雜高功函數(shù)無機(jī)半導(dǎo)體材料的高導(dǎo)電金屬制成，所述高功函數(shù)無極半導(dǎo)體材料選自氧化鉬、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導(dǎo)電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件的半透明陽極，其特征在于，所述高功函數(shù)無極半導(dǎo)體材料的摻雜質(zhì)量濃度大于0且小于10％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件的半透明陽極，其特征在于，所述半透明陽極采用真空熱蒸發(fā)共摻雜工藝進(jìn)行制作，厚度為10～25納米。

4.一種OLED器件，包括半透明陽極，其特征在于，所述半透明陽極由摻雜高功函數(shù)無機(jī)半導(dǎo)體材料的高導(dǎo)電金屬制成，所述高功函數(shù)無極半導(dǎo)體材料選自氧化鉬、氧化鎢、五氧化二釩中的一種或多種，所述高導(dǎo)電金屬選自銀、鋁、銅中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述高導(dǎo)電金屬中高功函數(shù)無極半導(dǎo)體材料的摻雜質(zhì)量濃度大于0且小于10％。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述半透明陽極采用真空熱蒸發(fā)共摻雜工藝進(jìn)行制作，厚度為10～25納米。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED器件，其特征在于，還包括反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子阻擋層和空穴傳輸層，所述反射陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子阻擋層和空穴傳輸層自反射陰極依次疊加排布，所述半透明陽極疊加在所述空穴傳輸層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸層由摻雜所述高功函數(shù)無極半導(dǎo)體材料的空穴傳輸材料制成，所述電子阻擋層由所述空穴傳輸材料制成，所述空穴阻擋層由電子傳輸材料制成，所述電子傳輸層由所述電子傳輸材料或由摻雜的電子傳輸材料制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸材料選自NPB、TPD、m-MTDATA、2T-NATA、MeO-TPD中的一種或多種，所述電子傳輸材料選自Alq3、Liq、TPBi、Bphen、BAlq中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任意一項(xiàng)所述的OLED器件，其特征在于，所述反射陰極采用鎂和銀合金材料。