[發(fā)明專利]一種陣列基板及制造方法和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110412978.5 | 申請日: | 2011-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN102645804A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李成 | 申請(專利權(quán))人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:矩陣排列的柵極掃描線和數(shù)據(jù)信號線,相鄰的兩條柵極掃描線和與其交叉的相鄰兩條數(shù)據(jù)信號線限定一個像素區(qū),所述像素區(qū)包括第一像素區(qū)和第二像素區(qū);其中,
所述第一像素區(qū)之間間隔設置,且每個第一像素區(qū)上覆蓋有對應的第一像素電極,所述第一像素電極處于第一層;
所述第二像素區(qū)之間間隔設置,且每個第二像素區(qū)上覆蓋有對應的第二像素電極,所述第二像素電極處于第二層;
所述第一層與所述第二層之間包括:絕緣層;其中,所述間隔設置指間隔一個像素區(qū)設置。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,在柵極掃描線方向的相鄰的像素區(qū)上覆蓋的第一像素電極與第二像素電極在對應的數(shù)據(jù)信號線上方交疊。
3.如權(quán)利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,至少一個第一像素電極與對應的柵極掃描線交疊,和/或,至少一個第二像素電極覆蓋與對應的柵極掃描線交疊。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第一層與所述數(shù)據(jù)信號線所在層之間還包括:樹脂層。
5.一種陣列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上形成包括矩陣排列的柵極掃描線和數(shù)據(jù)信號線的圖形,其中,相鄰的兩條柵極掃描線和與其交叉的相鄰兩條數(shù)據(jù)信號線限定一個像素區(qū);
形成多個第一像素電極,每個第一像素電極對應一個像素區(qū),所述第一像素電極間隔設置;
形成絕緣層;
形成多個第二像素電極,每個第二像素電極對應一個像素區(qū),所述第二像素電極間隔設置,且設置于未設置第一像素電極的像素區(qū);
其中,所述第一像素電極對應的像素區(qū)為第一像素區(qū),所述第二像素電極對應的像素區(qū)為第二像素區(qū),所述間隔設置指間隔一個像素區(qū)設置。
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,在柵極掃描線方向的相鄰的像素區(qū)上覆蓋的第一像素電極與第二像素電極在對應的數(shù)據(jù)信號線上方交疊。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,至少一個第一像素電極與對應的柵極掃描線交疊,和/或,至少一個第二像素電極覆蓋與對應的柵極掃描線交疊。
8.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述形成多個第一像素電極,每個第一像素電極對應一個像素區(qū),所述第一像素電極間隔設置之前,還包括:
在形成包括矩陣排列的柵極掃描線和數(shù)據(jù)信號線的圖形的基板上沉積樹脂層。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1~4任一項所述的陣列基板。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學;光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結(jié)構(gòu)中的





