[發(fā)明專利]半導體器件和半導體器件制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110412974.7
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN103165664A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 涂火金;三重野文健;禹國賓
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L29/78;H01L21/28
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 魏小薇

1.一種半導體器件，包括：

硅襯底，在所述硅襯底中形成有凹槽；

籽晶層，包含硅并且形成在所述凹槽的底部上；

體層，包含硅鍺并且形成在所述凹槽中在所述籽晶層上；以及

帽層，包含硅并且形成在所述體層上，

其中，所述帽層中含有硼。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述體層還包含硼。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述帽層還包含鍺。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述籽晶層還包含鍺。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述帽層還包含氟。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述凹槽是U形凹槽。

7.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述凹槽是∑形凹槽。

8.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述體層適于用作PMOS晶體管的源極或漏極。

9.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述帽層中的硼的濃度為1×10¹⁸原子/cm³至5×10²⁰原子/cm³。

10.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述帽層上具有包含鎳硅的電接觸層。

11.一種半導體器件，包括：

硅襯底，在所述硅襯底中形成有凹槽；

籽晶層，包含硅并且形成在所述凹槽的底部上；

體層，包含碳化硅并且形成在所述凹槽中在所述籽晶層上；以及

帽層，包含硅并且形成在所述體層上，

其中，所述帽層中含有磷和砷中的至少一種。

12.如權(quán)利要求11所述的半導體器件，其中

所述籽晶層包含碳化硅。

13.如權(quán)利要求11所述的半導體器件，其中

所述帽層包含碳化硅。

14.如權(quán)利要求11所述的半導體器件，其中

所述凹槽是U形凹槽。

15.如權(quán)利要求11所述的半導體器件，其中

所述凹槽是∑形凹槽。

16.如權(quán)利要求11所述的半導體器件，其中

所述半導體器件用于形成NMOS晶體管的源極或漏極。

17.如權(quán)利要求11所述的半導體器件，其中

所述帽層中的磷和砷的濃度總和為1×10¹⁸原子/cm³至5×10²⁰原子/cm³。

18.如權(quán)利要求11所述的半導體器件，其中

所述帽層上具有包含鎳硅的電接觸層。

19.一種半導體器件制造方法，包括：

在硅襯底中形成凹槽；

在所述凹槽的底部形成包含硅的籽晶層；

在所述凹槽中在所述籽晶層上生長包含硅鍺的體層；以及

在所述體層上形成包含硅的帽層，其中所述帽層包含硼。

20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中

所述帽層是通過外延生長來形成的，其中工藝氣體包含BH₃、B₂H₆、BF₃和BCl₃中的至少一個、SiH₄和SiH₂Cl₂中的至少一個、以及氫氣。

21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中

所述體層是通過選擇性外延生長來形成的，其中工藝氣體包含SiH₄或SiH₂Cl₂，并且所述工藝氣體包含GeH₄和氫氣。