[發明專利]半導體器件和半導體器件制造方法有效
| 申請號： | 201110412974.7 | 申請日： | 2011-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN103165664A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 涂火金;三重野文健;禹國賓 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/45 | 分類號： | H01L29/45;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
硅襯底，在所述硅襯底中形成有凹槽；
籽晶層，包含硅并且形成在所述凹槽的底部上；
體層，包含硅鍺并且形成在所述凹槽中在所述籽晶層上；以及
帽層，包含硅并且形成在所述體層上，
其中，所述帽層中含有硼。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其中
所述體層還包含硼。
3.如權利要求1所述的半導體器件，其中
所述帽層還包含鍺。
4.如權利要求1所述的半導體器件，其中
所述籽晶層還包含鍺。
5.如權利要求1所述的半導體器件，其中
所述帽層還包含氟。
6.如權利要求1所述的半導體器件，其中
所述凹槽是U形凹槽。
7.如權利要求1所述的半導體器件，其中
所述凹槽是∑形凹槽。
8.如權利要求1所述的半導體器件，其中
所述體層適于用作PMOS晶體管的源極或漏極。
9.如權利要求1所述的半導體器件，其中
所述帽層中的硼的濃度為1×1018原子/cm3至5×1020原子/cm3。
10.如權利要求1所述的半導體器件，其中
所述帽層上具有包含鎳硅的電接觸層。
11.一種半導體器件，包括：
硅襯底，在所述硅襯底中形成有凹槽；
籽晶層，包含硅并且形成在所述凹槽的底部上；
體層，包含碳化硅并且形成在所述凹槽中在所述籽晶層上；以及
帽層，包含硅并且形成在所述體層上，
其中，所述帽層中含有磷和砷中的至少一種。
12.如權利要求11所述的半導體器件，其中
所述籽晶層包含碳化硅。
13.如權利要求11所述的半導體器件，其中
所述帽層包含碳化硅。
14.如權利要求11所述的半導體器件，其中
所述凹槽是U形凹槽。
15.如權利要求11所述的半導體器件，其中
所述凹槽是∑形凹槽。
16.如權利要求11所述的半導體器件，其中
所述半導體器件用于形成NMOS晶體管的源極或漏極。
17.如權利要求11所述的半導體器件，其中
所述帽層中的磷和砷的濃度總和為1×1018原子/cm3至5×1020原子/cm3。
18.如權利要求11所述的半導體器件，其中
所述帽層上具有包含鎳硅的電接觸層。
19.一種半導體器件制造方法，包括：
在硅襯底中形成凹槽；
在所述凹槽的底部形成包含硅的籽晶層；
在所述凹槽中在所述籽晶層上生長包含硅鍺的體層；以及
在所述體層上形成包含硅的帽層，其中所述帽層包含硼。
20.如權利要求19所述的方法，其中
所述帽層是通過外延生長來形成的，其中工藝氣體包含BH3、B2H6、BF3和BCl3中的至少一個、SiH4和SiH2Cl2中的至少一個、以及氫氣。
21.如權利要求19所述的方法，其中
所述體層是通過選擇性外延生長來形成的，其中工藝氣體包含SiH4或SiH2Cl2，并且所述工藝氣體包含GeH4和氫氣。
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