[發明專利]顯示裝置、顯示裝置的控制方法及電子設備

有效

• 申請號: 201110412901.8
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN102568395A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 中西貴之;后藤詞貴;高崎直之;津崎亮一;原田勉;田中俊彥
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G09G3/34
• 分類號: G09G3/34;G09G3/36;G02F1/133
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

技術領域

本發明涉及顯示裝置、顯示裝置的控制方法以及電子設備。

背景技術

有一種在像素中具有存儲數據的存儲器的顯示裝置(例如，參見JP-A-2009-98234(專利文件1))。像素中具有存儲器的顯示裝置可保存曾經在像素中寫入的顯示數據。從而，當像素陣列單元中的各個像素中數據部分地改寫時，可減少要傳輸的數據量，因此，可實現顯示裝置的低功耗。

在包括像素中具有存儲器的顯示裝置的現有技術系統中，顯示數據以與諸如垂直同步信號的同步信號同步的方式規則地從驅動顯示裝置的驅動器IC改寫。就是說，在現有技術系統中，顯示數據以與垂直同步信號同步的方式改寫。

發明內容

在上面的現有技術中，從外部輸入的顯示數據必須與垂直同步信號同步，因此，新顯示的一個屏幕的顯示數據必須預先在外部產生，并且產生的顯示數據必須被傳輸。然而，例如，當需要頻繁地改寫部分顯示屏時，以與垂直同步信號同步的方式傳輸一個屏幕的顯示數據缺乏效率，因此需要以任意時序改寫顯示數據。

考慮到上述情況，所希望的是提供能夠以任意時序執行像素數據改寫處理而不使從外部輸入的數據與垂直同步信號同步的顯示裝置、該顯示裝置的驅動方法和包括該顯示裝置的電子設備。

本發明的實施例提供一種顯示裝置，其包括：顯示單元，其中設置包括存儲器的像素；以及存儲單元，保存數據，其中根據外部提供的指令，基于該存儲單元保存的數據，關于屬于該顯示單元的部分區域的像素改寫該存儲器保存的內容。

在具有上述構造的顯示裝置中，根據外部提供的指令，關于屬于顯示單元的部分區域的像素改寫存儲器保存的內容，因此在從客戶端提供寫入請求時執行改寫處理，而不與垂直同步信號同步的方式改寫數據。

根據本發明的實施例，像素數據的改寫處理可以任意時序執行而不使從外部輸入的數據與垂直同步信號同步。

附圖說明

圖1是示出根據本發明實施例的顯示裝置的系統構造示例的框圖；

圖2是示出TFT電路單元的具體構造示例的框圖；

圖3是示出MIP的像素的電路構造示例的框圖；

圖4是說明MIP的像素運行的時序圖；

圖5是示出MIP的像素的具體電路構造示例的電路圖；

圖6是示出驅動器IC中的像素數據的部分改寫處理的具體處理程序的流程圖；

圖7A至7C是關于區域分級法(area?gradation?method)中關于像素劃分的示意圖；

圖8是示出三分像素結構中三個子像素電極和兩對驅動電路之間對應關系的電路圖；

圖9A和9B是關于根據應用區域分級法的三分像素的示例1的像素結構的示意圖，其中圖9A是示出三個子像素電極的平面圖，而圖9B是沿著圖9A的X-X′線的截面圖；

圖10A和10B是關于根據應用區域分級法的三分像素的示例2的像素結構的示意圖，其中圖10A是示出三個子像素電極的平面圖，而圖10B是沿著圖10A的Y-Y′線的截面圖；

圖11是關于為像素電極選擇性供電的開關器件的示意圖；

圖12是示出根據該實施例的像素陣列基板的具體結構示例的相應部分的截面圖；

圖13A和13B示出在具有包括存儲器的像素結構的TFT基板上形成平坦化膜并且在其上依次形成像素電極時獲得的基板表面粗糙度，其中圖13A示出平坦化膜具有兩層結構的情況，而圖13B作為比較圖示出平坦化膜具有單層結構的情況；

圖14是示出根據該實施例的像素陣列基板結構的制造方法工藝流程的流程圖；

圖15A和15B是關于像素電路在形成第一層平坦化膜的狀態下的示意圖，其中圖15A是示意性地示出平面圖案的平面圖案圖，而圖15B示出沿著圖15A的A-A′線的截面結構圖；

圖16A和16B是關于像素電路在形成像素電極后的示意圖，其中圖16A是示意性地示出平面圖案的平面圖案圖，而圖16B示出沿著圖16A的B-B′線的截面結構圖；

圖17A至17C是關于第二層平坦化膜的熔化流速的示意圖；

圖18A和18B是關于第二層平坦化膜的材料是具有低熔化流速材料的情況的示意圖；

圖19A和19B是關于第二層平坦化膜的材料為具有高熔化流速材料的情況的示意圖；

圖20A和20B是示出應用本發明的數字相機外觀的透視圖，其中圖20A是從前面看的透視圖，而圖20B是從后面看的透視圖；

圖21是示出應用本發明的攝像機外觀的透視圖；以及