[發明專利]一種CuCr合金觸頭材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201110412822.7
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN102522241A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 潘峰;王光月;曾飛
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01H11/04
• 分類號: H01H11/04;H01H1/025
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢

1.一種CuCr合金觸頭材料的制備方法，包括如下步驟：

(1)采用物理氣相沉積在自轉的基片上沉積Cu膜；

(2)采用物理氣相沉積，啟動Cr組元的沉積，并保持Cr組元的相對沉積速率增長，在所述Cu膜上沉積CuCr合金膜a；所述Cr組元的相對沉積速率為Cr組元的沉積速率與Cu組元的沉積速率的比值，所述Cr組元的沉積速率為單位面積的所述基片上單位時間內沉積的Cr質量；所述Cu組元的沉積速率為單位面積的所述基片上單位時間內沉積的Cu質量；

(3)采用物理氣相沉積，保持Cr組元的相對沉積速率不變，在所述CuCr合金膜a上繼續沉積CuCr合金膜b，然后在真空條件下經原位退火即得所述CuCr合金觸頭材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述Cu膜的厚度為500nm～50μm；所述CuCr合金膜a的厚度為5μm～10cm；所述CuCr合金膜b的厚度為1μm～10cm。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：步驟(2)中，所述Cr組元的相對沉積速率為0～15，但不為0。

4.根據權利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：步驟(3)中，所述Cr組元的相對沉積速率為0.01～1.5。

5.根據權利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述物理氣相沉積為磁控共濺射鍍膜法；所述磁控共濺射鍍膜法的真空度為1×10^-3Pa～7×10^-8Pa，工作氣壓為0.05Pa～5Pa；氣體流量為5sccm～2000sccm，自偏壓為0V～2000V。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：所述磁控共濺射鍍膜法中，所述基片的自轉速率為2轉/min～50轉/min，Cu靶的直徑為20mm～1000mm，Cr靶的直徑為20mm～1000mm，Cu靶和Cr靶與所述基片的間距均為5cm～70cm。

7.根據權利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述物理氣相沉積為真空蒸發鍍膜法；所述真空蒸發鍍膜法的真空度為1×10^-3Pa～7×10^-8Pa，所述基片的自轉速率為2轉/min～50轉/min，Cu靶和Cr靶與所述基片的間距均為5cm～70cm。

8.根據權利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于：所述基片為無氧銅。

9.根據權利要求1-8中任一所述的方法，其特征在于：步驟(3)中所述真空條件的真空度為5×10^-2Pa～7×10^-8Pa，所述原位退火的溫度為300℃～600℃，所述原位退火的時間為30min～300min。

10.權利要求1-9中任一所述方法制備的CuCr合金觸頭材料。