[發(fā)明專利]增加驅(qū)動電流能力絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110412662.6
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN103165651A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張帥;李冰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 孫大為

1.一種增加驅(qū)動電流能力絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)；包括：源區(qū)、漏區(qū)、柵區(qū)，緊靠柵區(qū)邊界形成溝道，在P型體區(qū)下方有硅襯底N--，其特征在于，在硅襯底N--上生長有N-外延層。

2.如權(quán)利要求1所述的增加驅(qū)動電流能力絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)；其特征在于，N-外延的體濃度為10¹⁵/cm³～10¹⁶/cm³。

3.如權(quán)利要求1所述的增加驅(qū)動電流能力絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)；其特征在于，N-外延的厚度為1～10微米。

4.如權(quán)利要求1所述的增加驅(qū)動電流能力絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)；其特征在于，硅襯底N--層的體濃度為10¹³/cm³。