[發明專利]多通道半導體存儲器裝置以及包括該裝置的半導體裝置

有效

• 申請號: 201110412500.2
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102486931A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 金炫中;李東陽
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C8/16
• 分類號: G11C8/16
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

1.一種半導體存儲器裝置，包括：

第一存儲器，被配置為分別通過第一總線和第二總線接收第一通道列命令和第一通道行命令；

第二存儲器，通過硅通孔與第一存儲器連接，第二存儲器被配置為通過專用總線接收第二通道列命令，通過第一存儲器的第一總線和第二總線之一接收第二通道行命令，

其中，第二總線是共享總線。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，行命令中的每個包括激活命令和預充電命令，列命令中的每個包括寫命令和讀命令。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，共享總線被布置以傳輸第一通道行命令和第二通道行命令，共享總線由硅通孔形成。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，行命令是RAS命令，列命令是CAS命令。

5.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，由至少一個存儲器控制器的第一調度器產生第一通道行命令和第一通道列命令，由所述至少一個存儲器控制器的第二調度器產生第二通道行命令和第二通道列命令。

6.一種半導體存儲器裝置，包括：

第一存儲器，被配置為分別通過第一總線和第二總線接收第一通道列地址和第一通道行地址；

第二存儲器，通過硅通孔與第一存儲器連接，第二存儲器被配置為通過專用總線接收第二通道列地址，通過第一存儲器的第一總線和第二總線之一接收第二通道行地址，

其中，第二總線是共享總線。

7.如權利要求6所述的半導體存儲器裝置，其中，共享總線被布置以傳輸第一通道行地址和第二通道行地址，共享總線由硅通孔形成。

8.如權利要求7所述的半導體存儲器裝置，其中，第一存儲器和第二存儲器都是具有多個存儲條的動態隨機存取存儲器。

9.如權利要求8所述的半導體存儲器裝置，其中，由至少一個存儲器控制器的第一調度器產生第一通道行地址和第一通道列地址，由所述至少一個存儲器控制器的第二調度器產生第二通道行地址和第二通道列地址。

10.一種半導體裝置，包括：

存儲器控制器，包括第一控制單元和第二控制單元，

其中，第一控制單元被配置為產生關于第一通道的第一行命令和第一行地址以及關于第一通道的第一列命令和第一列地址，第二控制單元被配置為產生關于第二通道的第二行命令和第二行地址以及關于第二通道的第二列命令和第二列地址；

半導體存儲器裝置，包括第一存儲器和第二存儲器，

其中，第一存儲器和第二存儲器形成堆疊結構；

其中，第一存儲器被配置為通過第一專用總線線路接收第一通道的第一列命令和第一列地址，通過共享總線線路接收關于第一通道的第一行命令和第一行地址，

其中，第二存儲器被配置為通過第二專用總線線路接收第二通道的第二列命令和第二列地址，通過共享總線線路接收關于第二通道的第二行命令和第二行地址。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，其中，存儲器控制器和半導體存儲器裝置被包括在同一封裝件內。

12.如權利要求10所述的半導體裝置，其中，第一控制單元和第二控制單元是分別被配置為控制第一存儲器和第二存儲器的通道調度器。

13.如權利要求10所述的半導體裝置，其中，共享總線線路由硅通孔TSV形成。

14.如權利要求10所述的半導體裝置，其中，半導體存儲器裝置還包括以第一存儲器和第二存儲器的堆疊結構堆疊的通道存儲器。

15.一種半導體存儲器裝置，包括：

第一存儲器，被配置為分別通過第一總線和第二總線接收第一通道行地址或第一通道行命令以及第一通道列地址或第一通道列命令；

第二存儲器，通過硅通孔與第一存儲器連接，第二存儲器被配置為通過專用總線接收第二通道行命令或第二通道行地址，通過第一存儲器的第一總線和第二總線之一接收第二列命令或第二列地址，

其中，第二總線是共享總線。

16.如權利要求15所述的半導體存儲器裝置，其中，半導體存儲器裝置被配置為具有每通道128數據比特用于寬數據輸入/輸出。