[發明專利]一種控制注入結深度的方法

無效

• 申請號: 201110411591.8
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN103165423A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 李超波;汪明剛;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種控制注入結深度的方法，包括注入、退火，其特征在于，

所述注入至少包括以下步驟：

步驟1：向半導體基片預注入離子或者離子團，使所述半導體基片表面以下形成?“吸收層”；

步驟2：向已經于表面以下形成有“吸收層”的半導體基片摻雜注入，所述摻雜注入的深度處于所述半導體基片的表面和所述“吸收層”之間，從而實現所述半導體基片的P型摻雜或者N型摻雜。

2.根據權利要求1所述的控制注入結深度的方法，其特征在于，所述預注入采用束線離子注入或者PIII。

3.根據權利要求2所述的控制注入結深度的方法，其特征在于，所述預注入時，注入到所述半導體基片中的離子或者離子團由選自C、H、He、F、N中的一種或者幾種元素構成。

4.根據權利要求1所述的控制注入結深度的方法，其特征在于，所述摻雜注入采用束線離子注入或者PIII。

5.根據權利要求1所述的控制注入結深度的方法，其特征在于，P型摻雜時，所述摻雜注入的元素是B。

6.根據權利要求1所述的控制注入結深度的方法，其特征在于，N型摻雜時，所述摻雜注入的元素是P或者As。

7.根據權利要求1所述的控制注入結深度的方法，其特征在于，在所述步驟1和所述步驟2之間還包括預注入退火。

8.根據權利要求7所述的控制注入結深度的方法，其特征在于，所述預注入退火的方法選自爐管退火、快速熱退火和激光退火中的一種。