[發(fā)明專利]磁盤基板用研磨液組合物有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110411215.9 | 申請日: | 2011-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN102533220A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 木村陽介;浜口剛吏;鈴木誠 | 申請(專利權)人: | 花王株式會社 |
| 主分類號: | C09K3/14 | 分類號: | C09K3/14;G11B5/84;B24B37/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁盤 基板用 研磨 組合 | ||
1.一種磁盤基板用研磨液組合物,含有無機粒子、二烯丙基胺聚合物、酸及水,其中,所述二烯丙基胺聚合物具有選自由下述通式(I-a)、(I-b)、(I-c)及(I-d)所示的結構單元構成的組中的1種以上的結構單元,研磨液組合物中的所述二烯丙基胺聚合物的含量為0.008~0.100重量%,
上述式(I-a)及(I-b)中,R1表示氫原子、可以具有羥基的碳原子數(shù)1~10的烷基或碳原子數(shù)7~10的芳烷基,
上述式(I-c)及(I-d)中,R2表示可以具有羥基的碳原子數(shù)1~10的烷基或碳原子數(shù)7~10的芳烷基,R3表示碳原子數(shù)1~4的烷基或碳原子數(shù)7~10的芳烷基,D-表示一價的陰離子。
2.如權利要求1所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述二烯丙基胺聚合物還具有下述通式(II)所示的結構單元,
3.如權利要求1或2所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述無機粒子含有氧化鋁粒子。
4.如權利要求3所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述無機粒子還含有二氧化硅粒子。
5.如權利要求1~4中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述二烯丙基胺聚合物的重均分子量為1,000~500,000。
6.如權利要求1~5中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述二烯丙基胺聚合物的總結構單元中的所述通式(I-a)、(I-b)、(I-c)及(I-d)所示的結構單元的合計含量為30~100摩爾%。
7.如權利要求2~6中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述二烯丙基胺聚合物的總結構單元中的所述通式(II)所示的結構單元的含量為10~60摩爾%。
8.如權利要求2~7中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述二烯丙基胺聚合物的總結構單元中的通式(I-a)~(I-d)的結構單元和通式(II)的結構單元的摩爾比即通式(I-a)~(I-d)/通式(II)為90/10~30/70。
9.如權利要求2~8中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述二烯丙基胺聚合物的總結構單元中的通式(I-a)~(I-d)的結構單元和通式(II)的結構單元的合計含量為70摩爾%以上。
10.如權利要求1~9中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述研磨液組合物中的所述二烯丙基胺聚合物的含量為0.100重量%以下,且/或為0.008重量%以上。
11.如權利要求1~10中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述研磨液組合物中的所述二烯丙基胺聚合物的含量為0.008~0.100重量%。
12.如權利要求1~11中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述研磨液組合物的pH為1~3。
13.如權利要求4~12中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述氧化鋁粒子和所述二氧化硅粒子的重量比即氧化鋁粒子重量/二氧化硅粒子重量為10/90~70/30。
14.如權利要求3~13中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述研磨液組合物中的所述二烯丙基胺聚合物和所述氧化鋁的含量比即二烯丙基胺聚合物的含量/氧化鋁含量為0.001~0.1。
15.如權利要求3~14中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述氧化鋁粒子含有α-氧化鋁及中間氧化鋁。
16.如權利要求15所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述氧化鋁粒子中的α-氧化鋁的含量為30~90重量%。
17.如權利要求15或16所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述氧化鋁粒子中的中間氧化鋁的含量為10~70重量%。
18.如權利要求15~17中任一項所述的磁盤基板用研磨液組合物,其中,所述氧化鋁粒子中的α-氧化鋁和中間氧化鋁的重量比即α-氧化鋁的重量%/中間氧化鋁的重量%為95/5~10/90。
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