[發明專利]一種去除工業硅中雜質硼的方法

無效

• 申請號: 201110410861.3
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN102515168A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 伍繼君;馬文會;賈斌杰;謝克強;魏奎先;周陽;楊斌;劉大春;徐寶強;戴永年;王飛;劉永成
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: C01B33/037
• 分類號: C01B33/037
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種去除工業硅中雜質硼的方法，其特征在于：工業硅粉碎后，按質量比1～3:1的比例與精煉劑混合均勻并裝入高純石墨坩堝中，然后將高純石墨坩堝置于通有氬氣保護的高頻感應爐中進行逐步加熱升溫，待溫度升高至1450～1800℃時保溫2～3h，精煉完成后緩慢冷卻至室溫，即可獲得精煉硅。

2.根據權利要求1所述的去除工業硅中雜質硼的方法，其特征在于：本發明方法具體步驟如下：

（1）將硼含量為10～60ppmw的塊狀工業硅粉碎成粒度為150～200目的硅粉，按質量比1～3:1的比例將精煉劑與工業硅粉混合均勻；

（2）將工業硅和精煉劑混合物料裝于高純石墨坩堝中，然后置于高頻感應爐中，通入氬氣進行保護，氬氣流量控制在5～20L/min，采用150℃/10min逐步升溫的方式加熱，當高頻感應爐內的溫度達到1450～1800℃時保溫精煉2～3h后，開始緩慢降溫，當溫度降低至700℃以下時關閉電源，15min后關閉氬氣；

（3）待坩堝溫度冷卻至室溫后，取出精煉后樣品，去掉下部和上部精煉劑熔渣，即得到精煉硅，用離子電感耦合質譜儀分析精煉硅中的硼含量。

3.如權利要求2所述的去除工業硅中雜質硼的方法，其特征在于：精煉劑為CaCl₂、MgCl₂、CaCl₂-SiO₂、MgCl₂-SiO₂中一種。

4.如權利要求3所述的去除工業硅中雜質硼的方法，其特征在于：CaCl₂-SiO₂和MgCl₂-SiO₂精煉劑由氯化鹽和SiO₂組成，其中氯化鹽占50%～70%，SiO₂占50%～30%。

5.如權利要求3或4所述的去除工業硅中雜質硼的方法，其特征在于：SiO₂為純度99.0%以上、粒度60～80目的粉末，CaCl₂和MgCl₂為分析純無水粉末。