[發(fā)明專利]一種制備半極性p型ZnO多晶薄膜的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110410709.5
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN102424951A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂斌;葉穎惠;葉志鎮(zhèn)
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/28
• 分類號(hào): C23C14/28;C23C14/08;C23C14/06
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.?一種制備半極性p型ZnO多晶薄膜的方法，其特征是：將純ZnO陶瓷靶和Zn_1-x-yCo_xGa_yO陶瓷靶以及經(jīng)清洗的非晶襯底?(1)?放入脈沖激光沉積裝置生長室中，保持靶材與襯底之間的距離為4-6cm;?生長室真空度抽至優(yōu)于4×10^-4?Pa，襯底加熱升溫到350-550℃，生長室通入純氧氣，控制生長氣壓為35-50?Pa;?開啟激光器，頻率為5Hz,?讓激光束聚焦到靶面燒蝕靶材，首先在所述的非晶襯底?(1)?上沉積半極性Zn_1-x-yCo_xGa_yO緩沖層?(2),?再于所述的緩沖層?(2)?上制備半極性p型純ZnO薄膜層?(3)，將薄膜層?(3)在40Pa氧氣氛圍下冷卻至室溫。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備半極性p型ZnO多晶薄膜的方法，其特征是所述的襯底為非晶襯底。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備半極性p型ZnO多晶薄膜的方法，其特征是在所述的Zn_1-x-yCo_xGa_yO緩沖層?(2)?中，x值為0.04-0.06,?y值為0.005-0.02。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種制備半極性p型ZnO多晶薄膜的方法，其特征是所述的緩沖層?(2)?的厚度為200-1000nm。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備半極性p型ZnO多晶薄膜的方法，其特征是所述的生長氣壓為40-45Pa。

6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備半極性p型ZnO多晶薄膜的方法，其特征是所述的ZnO薄膜層?(3)?具有表面織構(gòu)。