[發明專利]一種李氏禾快速繁殖方法

無效

• 申請號: 201110410333.8
• 申請日: 2011-12-10
• 公開（公告）號: CN102487826A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 張學洪;劉杰;黃曉武
• 申請（專利權）人: 桂林理工大學
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于鉻污染的植物修復技術領域，具體涉及一種可用于鉻污染修復的超富集植物——李氏禾(Leersia?hexandra?Swartz)的快速繁殖方法。

背景技術

鉻是一種廣泛使用的工業原料，電鍍、皮革加工、防腐以及蛇紋石礦的開采和冶煉都會造成鉻污染(Shanker?et?al.，《Metallomics》2009年第1卷375-383頁)。鉻污染不僅導致土地退化、農作物減產和品質下降，更重要的是其通過食物鏈進入人體，給人類健康帶來風險。過量的鉻會對人體產生明顯的致癌和致畸作用(Shrivastava?et?al.，《Microbiology》，2002年第34卷1-7頁)。因此，鉻在全球范圍內被列為重點防治對象(Zayed?and?Terry，《Plant?and?Soil》)，2003年第249卷139-156頁)。

李氏禾(L.hexandra)作為中國境內首次報道的鉻超富集植物(hyperaccumulator)(張學洪等，《生態學報》，2006年第26卷第3期264-267頁)，不但在對修復水體和土壤鉻污染方面表現出極大的應用潛力(Liu?et?al，《Journal?of?Hazardous?Materials》2011年第188卷85-91頁)，而且在對植物鉻污染的耐受和富集機理上也表現出極大的研究價值。但是，該植物在實際運用中也存在一定的局限性。這主要表現在：(1)構件數復雜，不易區分單株幼苗；(2)結實率不高，且種子萌發率低；(3)一年只能結實一次，不能滿足大規模的工程修復。因此，建立一種李氏禾快速繁殖方法，成為將來推廣和利用李氏禾進行污染修復和科學研究的關鍵所在。

發明內容

本發明的目的在于提供一種工藝簡單、成活率高、繁殖速度快的鉻超富集植物李氏禾的快速繁殖方法，可為土壤或水體鉻污染提供大量植物修復材料，同時也為試驗研究超富集植物鉻的耐受和富集機制提供豐富的源材料。

具體步驟為：

選取具有多個節點的李氏禾植株，于第二個節點處，剪取李氏禾莖尖，節點末端保留1.0-1.5cm莖段，刀片沿周破壞節點表皮，暴露形成層；將李氏禾的末端節點浸于5mg/L萘乙酸溶液中置于黑暗人工氣候箱，6小時后，用蒸餾水將李氏禾末端的萘乙酸溶液清洗干凈，于改良hoagland營養液中培養，培養環境為：光照強度2000LX，相對濕度70-80％，白天15h/d，溫度25±1℃，夜間9h/d，溫度20±1℃；經7-10天培養，節點處便生根并長出幼苗，將生根的李氏禾移栽至土壤中于自然環境下栽培，澆水，使育苗基質保持濕潤。

本發明的優點和有益效果是：利用李氏禾節點細胞的分化性能，建立節點繁殖法，既提高了李氏禾的繁殖系數，縮短了生長周期，又保證了李氏禾幼苗的質量，過程快捷、無季節影響、成本低廉，為快速獲得鉻污染土壤或水體的植物修復材料提供新的途徑，具有重要的應用價值。該方法快速繁殖方法簡便快捷、成本低廉可用于李氏禾的快速繁殖育苗。

附圖說明

圖1為本發明實施例李氏禾繁殖取材的部位。

圖2為本發明實施例培養7天的李氏禾無性繁殖苗。

圖3為本發明實施例移栽土培12后的李氏禾。

具體實施方式

實施例：

選取50株生長健壯的具有多個節點李氏禾植株，于第二個節點處，剪取李氏禾莖尖，節點末端保留1.0-1.5cm莖段(如圖1所示)。刀片沿周破壞節點表皮，暴露形成層；將李氏禾的末端節點浸于5mg/L萘乙酸溶液中置于黑暗人工氣候箱，6小時后，用蒸餾水將李氏禾末端的萘乙酸溶液清洗干凈，10株一組分裝于改良hoagland營養液中培養，培養環境設置為：光照強度2000LX，相對濕度75％，白天15h/d，溫度25±1℃，夜間9h/d，溫度20±1℃。如圖2所示，經7天培養，節點處便生根并長出幼苗。將生根的李氏禾移栽至土壤中于自然環境下栽培，適時澆水，使育苗基質保持濕潤。12天后，李氏禾長出新葉(如圖3所示)，存活率達到95％。