[發明專利]固態圖像傳感器、制造固態圖像傳感器的方法和照相機

有效

• 申請號: 201110410224.6
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN102544036A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 篠原真人
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374;G03B17/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種固態圖像傳感器，包括：

第一導電類型的第一半導體區；

第二導電類型的第二半導體區，所述第二半導體區被布置為與所述第一半導體區的底面接觸并且用作電荷蓄積區域；

第三半導體區，所述第三半導體區包括由所述第二半導體區包圍的側面；

與所述第二半導體區分隔地布置的第二導電類型的第四半導體區；以及

傳遞柵極，所述傳遞柵極用于形成用于將所述第二半導體區中蓄積的電荷傳遞到所述第四半導體區的溝道，

其中所述第三半導體區是第一導電類型的半導體區和雜質濃度比所述第二半導體區中的雜質濃度低的第二導電類型的半導體區中的一個。

2.根據權利要求1所述的固態圖像傳感器，其中所述第三半導體區包括與所述第二半導體區接觸的頂面。

3.根據權利要求1所述的固態圖像傳感器，還包括第二導電類型的第五半導體區，所述第五半導體區包括與所述第二半導體區的底面和所述第三半導體區的底面接觸的部分。

4.根據權利要求3所述的固態圖像傳感器，還包括與所述第五半導體區的底面接觸的第一導電類型的第六半導體區。

5.根據權利要求1所述的固態圖像傳感器，還包括第一導電類型的半導體區，所述第一導電類型的半導體區包括與所述第二半導體區的底面和所述第三半導體區的底面接觸的部分。

6.根據權利要求1所述的固態圖像傳感器，被配置為包括多個像素，

其中每個像素包括所述第二半導體區、所述第三半導體區和所述傳遞柵極，并且在一個像素的所述第二半導體區和另一個像素的所述第二半導體區之間布置有第一導電類型的半導體區。

7.根據權利要求1所述的固態圖像傳感器，被配置為包括多個像素，

其中每個像素包括所述第二半導體區、所述第三半導體區和所述傳遞柵極，并且在一個像素的所述第二半導體區和另一個像素的所述第二半導體區之間布置有第一導電類型的半導體區，以及

所述第三半導體區和所述第一導電類型的半導體區被布置在相同的深度處并且具有相同的雜質濃度。

8.一種制造固態圖像傳感器的方法，所述固態圖像傳感器包括襯底和傳遞柵極，在所述襯底中布置有第一導電類型的第一半導體區、第二導電類型的第二半導體區、與所述第二半導體區分隔地布置的第二導電類型的第四半導體區，所述第二半導體區被布置為與所述第一半導體區的底面接觸并且用作電荷蓄積區域，所述傳遞柵極用于形成用于將所述第二半導體區中蓄積的電荷傳遞到所述第四半導體區的溝道，所述方法包括：

將第一導電類型的離子注入到所述襯底中，以便形成包括由所述第二半導體區包圍的側面的第三半導體區。

9.根據權利要求8所述的方法，其中

所述固態圖像傳感器包括多個像素，所述多個像素中的每個像素包括所述第二半導體區、所述第三半導體區和所述傳遞柵極，以及

在注入所述離子的步驟中，所述離子被注入到所述襯底中，以便與所述第三半導體區一起形成在一個像素的所述第二半導體區和另一個像素的所述第二半導體區之間的第一導電類型的半導體區。

10.根據權利要求9所述的方法，其中在注入所述離子的步驟中，所述離子被注入到所述襯底中，以使得所述第三半導體區和第一導電類型的所述半導體區被布置在相同的深度處并且具有相同的雜質濃度。

11.根據權利要求9所述的方法，還包括將離子注入到所述襯底中，以便在第一導電類型的所述半導體區下方形成第一導電類型的另一個半導體區。

12.根據權利要求8所述的方法，還包括在注入所述離子以便形成所述第三半導體區之后形成所述第一半導體區和所述第二半導體區。