[發明專利]一種多位非揮發存儲單元及陣列的編程方法

無效

• 申請號: 201110410001.X
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN103165188A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 劉明;姜丹丹;霍宗亮;張滿紅;劉璟;謝常青
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種多位非揮發存儲單元的編程方法，其特征在于，在p型溝道多位非揮發存儲單元的襯底和源端施加相同的正偏壓，漏端接地，柵極施加編程脈沖電壓，經過多個編程周期后，多位非揮發存儲單元編程為設定狀態，其中，所述編程周期包括Fowler-Nordheim隧穿過程和溝道熱電子注入過程，所述Fowler-Nordheim隧穿過程中柵極施加負編程脈沖電壓Vg_FN，所述溝道熱電子注入過程中柵極施加正編程脈沖電壓Vg_CHEI，并且|Vg_FN|＞|Vg_CHEI|。

2.根據權利要求1所述的多位非揮發存儲單元的編程方法，其特征在于，所述編程周期中，負編程脈沖電壓持續時間比正編程脈沖電壓持續時間長。

3.根據權利要求1或2所述的多位非揮發存儲單元的編程方法，其特征在于，所述編程周期內，先進行Fowler-Nordheim隧穿過程，再進行溝道熱電子注入過程。

4.根據權利要求1或2所述的多位非揮發存儲單元的編程方法，其特征在于，所述編程周期內，先進行溝道熱電子注入過程，再進行Fowler-Nordheim隧穿過程。

5.根據權利要求1或2所述的多位非揮發存儲單元的編程方法，其特征在于，所述設定狀態為10態、01態或00態。

6.根據權利要求1或2所述的多位非揮發存儲單元的編程方法，其特征在于，經過5-10個編程周期后，多位非揮發存儲器編程為指定狀態。

7.根據權利要求1、2或3所述的多位非揮發存儲單元的編程方法，其特征在于，還包括，

在p型溝道多位非揮發存儲單元的襯底施加所述正偏壓，源端浮空，漏端接地，柵極施加編程電壓，多位非揮發存儲單元編程為11態。

8.根據權利要求1、2或3所述的多位非揮發存儲單元的編程方法，其特征在于，所述多位非揮發存儲單元的存儲層為納米晶材料。

9.一種多位非揮發存儲單元陣列的編程方法，其特征在于，包括多個權利要求1所述的多位非揮發存儲單元，在預編程到同一設定狀態的所有多位非揮發存儲單元的襯底和源端施加相同的正偏壓，漏端接地，柵極施加編程脈沖電壓，經過至少一個編程周期后，預編程到同一設定狀態的所有多位非揮發存儲單元都編程為所述設定狀態，其中，所述編程周期包括Fowler-Nordheim隧穿過程和溝道熱電子注入過程，所述Fowler-Nordheim隧穿過程中柵極施加負編程脈沖電壓Vg_FN，所述溝道熱電子注入過程中柵極施加正編程脈沖電壓Vg_CHEI，并且|Vg_FN|＞|Vg_CHEI|。

10.根據權利要求9所述的多位非揮發存儲單元陣列的編程方法，其特征在于，還包括，所述編程周期中，負編程脈沖電壓持續時間比正編程脈沖電壓持續時間長。