[發(fā)明專利]一種抗氧化泡生爐及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110409934.7 | 申請日: | 2011-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN102492981A | 公開(公告)日: | 2012-06-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 翟劍龐;成關(guān)勇;黃鏡蓁;吳煥逸 | 申請(專利權(quán))人: | 中山兆龍光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00;C30B29/20;C23C14/30;C23C14/08 |
| 代理公司: | 中山市科創(chuàng)專利代理有限公司 44211 | 代理人: | 尹文濤 |
| 地址: | 528400 廣東省中山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化 泡生爐 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種抗氧化泡生爐,本發(fā)明還涉及一種制備該抗氧化泡生爐的方法。
背景技術(shù)
藍(lán)寶石(α-Al2O3)又稱白寶石,具有良好的光學(xué)、機(jī)械、化學(xué)和電性能,被廣泛應(yīng)用于微波電子管介質(zhì)、波導(dǎo)激光器腔體、精密軸承、紅外軍事裝置、高強(qiáng)激光窗口材料和液晶顯示投影儀的散熱板等方面,同時藍(lán)寶石可用作集成電路的襯底材料,應(yīng)用于LED產(chǎn)業(yè)和微電子電路等方面,是高價鎵良好的取代材料,應(yīng)用于超高速集成電路的制作中。
目前,藍(lán)寶石主要的制備方法主要有泡生法、倒模法、熱交換法、提拉法、火焰法和坩堝下降法等。泡生法所長晶體質(zhì)量較好,尺寸較大,成本較低,適用于產(chǎn)業(yè)化,規(guī)模化的生產(chǎn)。
我國在藍(lán)寶石單晶的制備以及爐體的制作方面與先進(jìn)國家還存在著較大的差距,爐體的設(shè)計和真空等各方面還存在著較大的問題,反射屏也較容易受到氧化,尤其是內(nèi)反射屏在高溫時其消耗嚴(yán)重,其使用壽命也較短,這使得企業(yè)的運(yùn)營成本增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處,提供一種結(jié)構(gòu)簡單,能有效降低內(nèi)反射屏在高溫下的氧化和消耗,從而使使用壽命增加,減少運(yùn)營成本的抗氧化泡生爐。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種制備上述抗氧化泡生爐的方法。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用以下方案:
一種抗氧化泡生爐,其特征在于:包括爐體,在所述的爐體內(nèi)有鎢鉬內(nèi)反射屏,在所述的鎢鉬內(nèi)反射屏上鍍有一層抗氧化的薄膜層。
如上所述的一種抗氧化泡生爐,其特征在于所述的薄膜層為氧化鋯薄膜。
如上所述的一種抗氧化泡生爐,其特征在于所述的氧化鋯薄膜的厚度為100-1000nm。
如上所述的一種抗氧化泡生爐,其特征在于所述的氧化鋯薄膜的厚度為500nm。
本發(fā)明一種制備如上所述抗氧化泡生爐的方法,其特征在于包括以下步驟:
A、將二氧化鋯粉末研磨均勻,用壓片機(jī)將其鍛壓成二氧化鋯薄片;
B、將步驟A中的二氧化鋯薄片放到電子束蒸發(fā)鍍膜儀的電子束銅靶上,向用于制作泡生爐內(nèi)反射屏的鎢鉬板材上鍍一層氧化鋯薄膜;
C、采用步驟B中的板材制作內(nèi)反射屏,即可。
如上所述的制作方法,其特征在于所述的二氧化鋯粉末的純度為99.99%。
如上所述的制作方法,其特征在于采用瑪瑙研缽對所述的二氧化鋯粉末進(jìn)行研磨。
如上所述的制作方法,其特征在于鍍氧化鋯薄膜時電子束蒸發(fā)鍍膜儀的真空腔的真空度為1-10*10-4pa,儀器的鍍膜速率為0.1-0.3nm/s,退火溫度為600-1200℃,退火時間為30-60分鐘。
如上所述的制作方法,其特征在于鍍氧化鋯薄膜時電子束蒸發(fā)鍍膜儀的真空腔的真空度為5*10-4pa,儀器的鍍膜速率為0.2nm/s,退火溫度為800-1000℃,退火時間為30-40分鐘。
綜上所述,本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)其有益效果是:
1.有效減少了內(nèi)反射屏鎢鉬層的氧化;
2.有效減少了內(nèi)反射屏鎢鉬層的消耗;
3.所鍍氧化鋯薄膜耐高溫,在高溫下?lián)]發(fā)較少,且其揮發(fā)物在抽真空時可以被抽至戶外,不會在晶體生長過程中進(jìn)入生長系統(tǒng),對藍(lán)寶石晶體的生長影響較小。
4.所鍍薄膜層只有500nm,對藍(lán)寶石單晶爐的溫場的影響較小,從而保證了藍(lán)寶石生長的順利進(jìn)行;
5.與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明通過在內(nèi)反射屏鎢鉬層上蒸鍍氧化鋯薄膜的方式增加其使用壽命,降低企業(yè)運(yùn)營成本,且其對溫場的影響較小,方法實(shí)用可靠,易于推廣。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
實(shí)施例1
本發(fā)明抗氧化泡生爐,包括爐體,在所述的爐體內(nèi)設(shè)有鎢鉬內(nèi)反射屏,在所述的鎢鉬內(nèi)反射屏上鍍有一層抗氧化的氧化鋯薄膜。制備方法:利用瑪瑙研缽將純度為99.99%的二氧化鋯粉末研磨均勻,用壓片機(jī)將其鍛壓成二氧化鋯薄片,將所述的放到二氧化鋯薄片電子束蒸發(fā)鍍膜儀的電子束銅靶上,向用于制作泡生爐的板材設(shè)置有鎢鉬內(nèi)反射屏一面上鍍一層氧化鋯薄膜;電子束蒸發(fā)鍍膜儀的真空腔的真空度為5*10-4pa,儀器的鍍膜速率為0.2nm/s,所鍍薄膜的厚度為500nm,退火溫度為800℃,退火時間為30分鐘。所鍍薄膜較均勻,耐高溫性能較好。然后采用鍍有氧化鋯薄膜的板材制作內(nèi)反射屏,即可。
實(shí)施例2
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中山兆龍光電科技有限公司,未經(jīng)中山兆龍光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110409934.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:鏈夾卸料推送器
- 下一篇:一種并發(fā)請求處理方法、裝置及服務(wù)器





