[發(fā)明專利]一種開(kāi)關(guān)電容單元

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110409088.9
• 申請(qǐng)日: 2011-12-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103166633A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許建超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)民技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H03L7/099
• 分類號(hào): H03L7/099;H03L7/08
• 代理公司: 深圳鼎合誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281
• 代理人: 薛祥輝

1.一種開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，包括第一開(kāi)關(guān)電容電路，所述第一開(kāi)關(guān)電容電路包括第一電容單元、與所述第一電容單元連接的第一開(kāi)關(guān)單元，以及第一控制單元；所述第一開(kāi)關(guān)單元斷開(kāi)時(shí)，所述第一控制單元將所述第一電容單元與第一開(kāi)關(guān)單元之間的第一中間節(jié)點(diǎn)連接在諧振腔上；所述第一開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通時(shí)，所述第一開(kāi)關(guān)單元將所述第一中間節(jié)點(diǎn)下拉至地電平。

2.如權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，所述第一控制單元包括第一MOS管；所述第一電容單元包括第一電容；所述第一開(kāi)關(guān)單元包括第二MOS管；所述第一電容與所述第二MOS管串聯(lián)，所述第一MOS管與所述第一電容并聯(lián)。

3.如權(quán)利要求2所述的開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，所述第一MOS管為第一NMOS管；第二MOS管為第二NMOS管；所述第二NMOS管的柵極通過(guò)第一反相器和第二反相器連接至一控制信號(hào)；所述第二NMOS管的源極接地，漏極接所述第一電容的一端，所述第一電容的另一端連接至諧振腔；所述第一NMOS管的柵極通過(guò)所述第一反相器連接所述控制信號(hào)，源極連接所述第一中間節(jié)點(diǎn)，漏極連接至所述諧振腔。

4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，還包括與所述第一開(kāi)關(guān)電容電路結(jié)構(gòu)完全對(duì)稱的第二開(kāi)關(guān)電容電路；所述第一開(kāi)關(guān)電容電路連接在諧振腔的Vop端，所述第二開(kāi)關(guān)電容電路連接在諧振腔的Von端；或者所述第一開(kāi)關(guān)電容電路連接在諧振腔的Von端，所述第二開(kāi)關(guān)電容電路連接在諧振腔的Vop端。

5.一種開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，包括第一電容單元、第一開(kāi)關(guān)單元、第一控制單元、第二電容單元和第二控制單元；所述第一電容單元與所述第二電容單元均與所述第一開(kāi)關(guān)單元連接；所述第一開(kāi)關(guān)單元斷開(kāi)時(shí)，所述第一控制單元將所述第一電容單元與第一開(kāi)關(guān)單元之間的第一中間節(jié)點(diǎn)連接在諧振腔上，所述第二控制單元將所述第二電容單元與第一開(kāi)關(guān)單元之間的第二中間節(jié)點(diǎn)連接在諧振腔上。

6.如權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，所述第一控制單元包括第一MOS管；所述第二控制單元包括第三MOS管；所述第一開(kāi)關(guān)單元包括第二MOS管；所述第一電容單元包括第一電容；所述第二電容單元包括第二電容；所述第一電容、所述第二MOS管與所述第二電容依次串聯(lián)；所述第一MOS管與所述第一電容并聯(lián)；所述第三MOS管與所述第二電容并聯(lián)。

7.如權(quán)利要求6所述的開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，所述第一MOS管為第一NMOS管，第二MOS管為第二NMOS管，所述第三MOS管為第三NMOS管；所述第二NMOS管的柵極通過(guò)第一反相器和第二反相器連接至一控制信號(hào)；所述第二NMOS管的漏極接所述第一電容的一端，所述第一電容的另一端連接至諧振腔；所述第一NMOS管的柵極通過(guò)所述第一反相器連接所述控制信號(hào)，源極連接所述第一中間節(jié)點(diǎn)，漏極連接至所述諧振腔；所述第二NMOS管的源極接所述第二電容的一端，所述第二電容的另一端連接至諧振腔；所述第三NMOS管的柵極通過(guò)所述第一反相器連接所述控制信號(hào)，漏極連接所述第二中間節(jié)點(diǎn)，源極連接至所述諧振腔。

8.如權(quán)利要求5至7任一項(xiàng)所述的開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，還包括第三控制單元和第四控制單元；所述第一開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通時(shí)，所述第三控制單元將所述第一中間節(jié)點(diǎn)下拉至地電平，所述第四控制單元將所述第二中間節(jié)點(diǎn)下拉至地電平。

9.如權(quán)利要求8所述的開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，所述第三控制單元包括第五NMOS管，所述第四控制單元包括第六NMOS管；所述第五NMOS管與所述第六NMOS管的柵極通過(guò)所述第一反相器和所述第二反相器連接至所述控制信號(hào)，所述第五NMOS管的源極接地，漏極接所述第一中間節(jié)點(diǎn)，所述第六NMOS管的源極接地，漏極接所述第二中間節(jié)點(diǎn)。

10.如權(quán)利要求9所述的開(kāi)關(guān)電容單元，其特征在于，所述第二電容與所述第一電容完全相同，所述一NMOS管與所述第三NMOS管完全相同，所述第五NMOS管與所述第六NMOS管完全相同。