[發(fā)明專利]射頻調(diào)制輸出電路及其增益補償放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110409017.9
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN102412798A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 褚云飛;陳明潔;胡鐵剛
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: H03G3/20
• 分類號: H03G3/20;H03F3/189;H03F3/45
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種射頻調(diào)制輸出電路，其特征在于，包括：

第一混頻器，接收第一輸入信號和第一載波信號并對其進行混頻后產(chǎn)生第一射頻調(diào)制信號；

第一放大電路，與所述第一混頻器相連，對所述第一射頻調(diào)制信號進行放大后產(chǎn)生第一放大信號；

第二混頻器，接收第二輸入信號和第二載波信號并對其進行混頻后產(chǎn)生第二射頻調(diào)制信號；

第二放大電路，與所述第二混頻器相連，對所述第二射頻調(diào)制信號進行放大后產(chǎn)生第二放大信號；

輸出電路，與所述第一放大電路和第二放大電路相連，將所述第一放大信號和第二放大信號相加后輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻調(diào)制輸出電路，其特征在于，所述第一放大電路和第二放大電路為增益補償放大器，其增益隨頻率的增大而增大。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻調(diào)制輸出電路，其特征在于，所述增益補償放大器包括：

第一級電路，所述第一級電路包括源極跟隨器，對輸入的信號進行源極跟隨、增強驅(qū)動能力和隔離；

第二級放大器，與所述第一級電路相耦合，所述第二級放大器包括帶源極負反饋的差分放大器，其增益隨頻率的增大而增大；

第三級放大器，與所述第二級放大器相耦合，所述第三級放大器包括帶源極負反饋的差分放大器，將輸出信號的功率調(diào)整至預(yù)設(shè)功率范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻調(diào)制輸出電路，其特征在于，所述第一輸入信號、第一射頻調(diào)制信號、第二射頻調(diào)制信號、第一放大信號和第二放大信號為差分信號，所述第二輸入信號為雙端信號，所述第一級電路包括：

第一MOS晶體管，其柵極接收輸入信號中的一路信號，其漏極連接電源正極，其源極連接第一鏡像電流源；

第二MOS晶體管，其柵極接收輸入信號中的另一路信號，其漏極連接電源正?極，其源極連接第二鏡像電流源。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻調(diào)制輸出電路，其特征在于，所述第二級放大器包括：

第三MOS晶體管，其柵極連接所述第一MOS晶體管的源極，其漏極通過第一電阻連接至所述電源正極，其源極連接第三鏡像電流源；

第四MOS晶體管，其柵極連接所述第二MOS晶體管的源極，其漏極通過第二電阻連接至所述電源正極，其源極連接第四鏡像電流源，所述第四鏡像電流源的輸出電流與所述第三鏡像電流源的輸出電流相同；

第一反饋電阻，其第一端連接至所述第三MOS晶體管的源極，其第二端連接至所述第四MOS晶體管的源極；

第一反饋電容，其第一端連接至所述第三MOS晶體管的源極，其第二端連接至所述第四MOS晶體管的源極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻調(diào)制輸出電路，其特征在于，所述第三級放大器包括：

第五MOS晶體管，其柵極連接所述第三MOS晶體管的漏極，其源極連接第五鏡像電流源；

第六MOS晶體管，其柵極連接所述第四MOS晶體管的漏極，其源極連接第六鏡像電流源，所述第六鏡像電流源的輸出電流與所述第五鏡像電流源的輸出電流相同；

第二反饋電阻，其第一端連接所述第五MOS晶體管的源極，其第二端連接所述第六MOS晶體管的源極。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻調(diào)制輸出電路，其特征在于，所述輸出電路包括：

第一輸出電阻，其第一端連接電源正極，其第二端連接所述第一放大電路的負向輸出端和所述第二放大電路的正向輸出端；

第二輸出電阻，其第一端連接所述電源正極，其第二端連接所述第一放大電路的正向輸出端和所述第二放大電路的負向輸出端。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻調(diào)制輸出電路，其特征在于，還包括：

第一載波緩沖電路，所述第一載波信號經(jīng)過所述第一載波緩沖電路緩沖放大?后輸入至所述第一混頻器；

第二載波緩沖電路，所述第二載波信號經(jīng)過所述第二載波緩沖電路緩沖放大后輸入至所述第二混頻器。