[發明專利]密節距小焊盤銅線鍵合單IC芯片封裝件及其制備方法

有效

• 申請號: 201110408681.1
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN102437141A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 慕蔚;李習周;郭小偉
• 申請（專利權）人: 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/49;H01L21/60;H01L21/50
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 鮮林

1.一種密節距小焊盤銅線鍵合單IC芯片封裝件，包括塑封體（11），塑封體（11）內設有引線框架載體（1）和框架引線內引腳（7），引線框架載體（1）的上面固接有IC芯片（3），其特征在于：所述IC芯片（3）的上表面設置數個焊盤（4），所述數個焊盤（4）平行設置成兩列焊盤組，分別為第一焊盤組和第二焊盤組，所述每列焊盤組中的每個焊盤（4）對應連接一框架引線內引腳（7），每個焊盤（4）上分別焊接一個金球（5），每個金球（5）上焊接一個第一銅鍵合球（6），拱絲拉弧在對應內引腳（7）上打一銅焊點（10），形成第一銅鍵合線(9)。

2.如權利要求1所述的密節距小焊盤銅線鍵合單IC芯片封裝件，其特征在于所述第一焊盤組和第二焊盤組中間隔的焊盤（4）上分別焊接有一個金球（5），所述第一焊盤組中的金球（5）與第二焊盤組中的金球（5）交錯設置，每個金球（5）上焊接一個第一銅鍵合球（6），每列焊盤組中未焊接金球（5）的焊盤（4）上直接焊接一個第二銅鍵合球（8），拱絲拉弧在對應內引腳（7）上打一銅焊點（10），形成第二銅鍵合線(14)。

3.如權利要求1所述的密節距小焊盤銅線鍵合單IC芯片封裝件，其特征在于所述每列焊盤組中相鄰兩焊盤（4）之間留有空隙，焊盤（4）的外形尺寸為?38μm×38μm，焊盤（4）的節距為43μm。

4.如權利要求1所述的密節距小焊盤銅線鍵合單IC芯片封裝件，其特征在于所述第一銅鍵合球（6）采用Φ15μm銅線制成，第一銅鍵合球（6）直徑為35μm～38μm。

5.如權利要求1所述的密節距小焊盤銅線鍵合單IC芯片封裝件，其特征在于所述金球（5）的直徑為30μm～36.8μm。

6.如權利要求1或2所述的密節距小焊盤單IC芯片封裝件，其特征在于所述第二銅鍵合球（8）采用Φ15μm銅線制成，第二銅鍵合球（8）直徑為34μm～37μm。

7.一種如權利要求1或2所述密節距小焊盤單IC芯片封裝件的制備方法，工藝流程為減薄、劃片、上芯、壓焊、塑封、后固化、切筋、電鍍、打印、成形分離和包裝，其中除上芯、壓焊工序以外，其它工序均采用相關封裝形式的常規方法，其特征在于所述上芯、壓焊操作工藝過程為：

步驟1、減薄、劃片：

常規方法將晶圓減薄至250～300μm并劃片；

步驟2、上芯：

取引線框架載體將步驟1已減薄劃片的IC芯片固接于引線框架載體上，采用N₂氣流量25~30ml/min烘烤3小時，烘烤溫度150℃；

步驟3、壓焊：

在焊盤（4）上進行壓焊：

a）將金線軸固定于壓焊臺上，然后穿入金線；

b）將引線框架載體預熱至200℃～210℃后送到壓焊臺上，在焊盤上分別焊接金球；

c）將銅線軸固定于壓焊臺上，穿入銅線，將步驟b）中焊接有金球的引線框架載體預熱至200℃～210℃后送到壓焊臺上，在每個金球上堆疊一個第一銅鍵合球，然后向上拱絲拉弧至與焊接有該金球的焊盤相對應的引線框架內引腳，并在該引線框架內引腳上打一銅焊點，形成第一銅鍵合線；

d）在兩列焊盤組中未焊接金球的每個焊盤上分別用銅絲球焊形成第二銅鍵合球，拱絲拉弧至與該焊盤相對應的引線框架內引腳，并在該引線框架內引腳上打一銅焊點，形成第二銅鍵合線；

步驟4：采用常規方法對壓焊后形成的半成品框架依次進行塑封、后固化、打印、沖切分離或切割分離，制成密節距小焊盤銅線鍵合IC芯片封裝產品。