[發明專利]氧化物燒結體、靶電極、氧化物透明電極的制造方法以及氧化物透明導電膜

有效

• 申請號: 201110408371.X
• 申請日: 2007-03-12
• 公開（公告）號: CN102543250A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 阿部能之;中山德行;小原剛;和氣理一郎
• 申請（專利權）人: 住友金屬礦山株式會社
• 主分類號: H01B1/08
• 分類號: H01B1/08;H01B5/14;H01B13/00;C04B35/453;C04B35/457;C23C14/34;C23C14/32
• 代理公司: 北京三幸商標專利事務所 11216
• 代理人: 劉激揚

1.一種氧化物燒結體，其特征在于是實質上由鋅、錫和氧構成的氧化物燒結體，錫以Sn/(Zn+Sn)的原子數比計含有0.23～0.50，并且，主要由氧化鋅晶體相和錫酸鋅化合物晶體相構成，或者由錫酸鋅化合物晶體相構成，實質上不含氧化錫晶體相或固溶鋅的氧化錫晶體相。

2.權利要求1所述的氧化物燒結體，其特征在于：錫酸鋅化合物晶體相是選自ZnSnO₃單相、Zn₂SnO₄單相或者這些Zn位點中固溶錫元素的物質、導入氧缺少的物質，或者Zn/Sn比由這些化合物稍改變的非化學計量組成的物質中的一種以上。

3.權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其特征在于：進一步含有選自鎵、鋁、鈦、鈮、鉭、鎢、鉬或銻的至少一種元素作為添加元素，并且該添加元素的含量相對于所有金屬元素的總量，以原子數比率計，為0.08以下。

4.權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其特征在于其電阻率為5kΩcm以下。

5.權利要求4所述的氧化物燒結體，其特征在于其電阻率為100Ωcm以下。

6.一種靶電極，由權利要求1～5任意一項所述的氧化物燒結體加工制得。

7.一種氧化物透明導電膜的制造方法，其特征在于采用權利要求6所述的靶電極，通過濺射法或者離子電鍍法在基板上形成透明氧化物薄膜。

8.權利要求7所述的氧化物透明導電膜的制造方法，其特征在于：濺射法為向靶電極輸入超過1.764W/cm²直流輸入電功率密度的直流濺射法。

9.一種氧化物透明導電膜，其特征在于：通過權利要求7或8所述的方法得到，其實質上由鋅、錫和氧構成，以Sn/(Zn+Sn)的原子數比計含有0.23～0.50的錫。