[發明專利]一種C形硅芯的拉制模板

無效

• 申請號: 201110408242.0
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN103160915A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 劉朝軒;王晨光
• 申請（專利權）人: 洛陽金諾機械工程有限公司
• 主分類號: C30B15/24
• 分類號: C30B15/24;C30B29/06;C30B29/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

【技術領域】

本發明涉及一種模板，具體地說本發明涉及一種C形硅芯的拉制模板。

【背景技術】

目前，硅芯在國內使用量非常巨大；現有的硅芯是以區熔方式所生產的，其工藝過程中使用高頻線圈、仔晶夾頭來完成拉制過程，其工作原理如下：工作時通過給高頻線圈通入高頻電流，高頻感應加熱，使高頻線圈產生電流對原料棒產生磁力線，加熱后的原料棒上端頭形成融化區，然后將仔晶插入熔化區，慢慢提升仔晶，熔化后的原料就會跟隨仔晶上升，形成一個新的柱形晶體，這個新的柱形晶體便是硅芯或其它材料晶體的制成品。

然后將前述硅芯或其它材料晶體的制成品的柱形晶體在還原爐內進行還原反應，所述還原反應是在一個密閉的還原爐中進行的，在裝爐前先在還原爐內用硅芯搭接成若干個閉合回路，也就是行話中的“搭橋”；每個閉合回路都由兩根豎硅芯和一根橫硅芯形成“∏”字形結構；每一個閉合回路的兩個豎硅芯分別接在爐底上的兩個電極上，兩個電極分別接直流電源的正負極，然后對硅芯進行加熱，加熱中一組搭接好的硅芯相當于一個大電阻，然后向密閉的還原爐內通入氫氣和三氯氫硅，開始進行還原反應；這樣，所需的多晶硅就會在硅芯表面生成形成多晶硅棒，所述多晶硅棒需要經過破碎、直拉爐拉制成為單晶硅。以上所述就是硅芯及其搭接技術在多晶硅生產中的應用。

在現有的西門子法生產多晶硅的過程中，由于所使用的硅芯直徑通常為φ8mm左右的實心硅芯或經過線切割形成的方硅芯，搭接好的硅芯在正常還原反應過程中，生成的硅不斷沉積在硅芯表面，硅芯的表面積也越來越大，反應氣體分子對沉積面(硅芯表面)的碰撞機會和數量也隨之增大，當單位面積的沉積速率不變時，表面積愈大則沉積的多晶硅量也愈多；因此在多晶硅生長時，還原反應時間越長，硅芯的直徑越大，多晶硅的生長效率也越高，這樣不僅可以大大提高生產效率，同時也降低了生產成本；但是現有的實心硅芯或方硅芯在還原中，都無法很好的克服由于搭接“實心硅芯或方硅芯”的硅芯強度較低，由此導致還原過程中所產生的硅芯倒伏現象，給生產帶來不必要的麻煩和成本的增加；硅芯所述的倒伏現象是指硅芯在密閉的容器內進行生長，由于實心圓硅芯或方硅芯本身工藝所帶來的后果是：

1)、實心硅芯；

實心硅芯的直徑通常在8～10MM左右，由8～10MM生長至120～150MM為例，開始時生長較為緩慢，后期隨著直徑的加大，生長速度也隨之加快；如果直接采用大直徑的實心硅芯，則會造成硅芯本體的重量增加；并且在大直徑實心硅芯的拉制過程中，由于要得到較大直徑的硅芯，拉制速度要控制到很慢，生產效率低下；且生長過程中由于直徑較大，拉直難度極高，并且每次僅可以少量的拉制，也就是拉制根數必將受到限制，對于加大直徑問題現有技術中還有很多難點無法克服，同時大直徑硅芯拉制所消耗的電能和保護性氣體也隨之增加，同時大直徑硅芯還不便于后續加工和搬運；

2)、方硅芯；

目前市場上出現了線切割的方硅芯，由于是在線切割過程中，晶體受到金剛石線切割中的微震，使得成品方硅芯內出現較多肉眼難以察覺的微小裂痕，在硅芯生長通電的瞬間對于裂痕的沖擊較大，使得硅芯生長過程中斷裂或倒塌量大幅度增加，輕者導致該組硅芯無法生長，嚴重時導致停爐；那么采用大直徑的硅芯進行搭接來實現多晶棒的快速生長及提高硅芯自身的強度就成了一個本領域技術人員難以克服的技術壁壘；然，對于如何加大硅芯直徑也是本領域技術人員的長期訴求。

本發明人通過實驗發現，利用C形硅芯可以較好的實現硅芯與圓柱形硅芯在相同重量的情況下，可以有效的實現加大生長面積，然而目前還沒有對于C形硅芯的生長設備和模板。

【發明內容】

為了克服背景技術中的不足，本發明公開了一種C形硅芯的拉制模板，本發明所述的C形硅芯的拉制模板利用C形槽對于融化晶液的C形定型，使得C形籽晶拉制時，融化的晶液按照設計拉制出C形籽晶；本發明結構獨特，后期C形硅芯的使用效果優于現有圓柱形實心硅芯。

為了實現上述發明的目的，本發明采用如下技術方案：

一種C形硅芯的拉制模板，包括模板和C形槽，在模板上設有C形槽，所述C形槽的底部設有貫通至模板底部的晶液通路。

所述的C形硅芯的拉制模板，在模板上設置的C形槽為至少一個且所述C形槽底部均設有貫通至模板底部的晶液通路。

所述的C形硅芯的拉制模板，所述晶液通路為由模板上部面設置的C形槽，在C形槽底部設置對應C形槽分布且貫通至模板底部面的孔。

所述的C形硅芯的拉制模板，所述晶液通路為由模板上部面設置的C形槽且所述C形槽貫通至模板底部面。