[發明專利]一種制備硅-硅化鐵復合納米線的方法無效
| 申請號： | 201110408015.8 | 申請日： | 2011-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN102515088A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發明（設計）人： | 邱騰;張艷 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 硅化鐵 復合 納米 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備硅-硅化鐵復合納米線的方法，該復合納米結構是由納米Si和納米
FeSi2?顆粒組成的納米線陣列，其特征在于該材料的制備方法主要包含：
離子注入：將清洗后的單晶硅片放入離子注入系統的真空室內，設定參數注入能量60KV-80KV，注入劑量為8×1015?ions/cm2-3?.6×1017ions/cm2，將Fe離子注入到Si片表面；
高溫退火：將已經注入Fe離子的Si片用無水乙醇和丙酮清潔，放入高溫燒結爐中退火，設定參數為真空600℃-937℃下退火3-4h；
濺射Si層：將已經退火后的Si片放入超真空多功能磁控濺射儀內，在樣品表面濺射Si層，磁控濺射儀設定在射頻工作方式，濺射功率為100W，濺射時間為30min；
化學腐蝕：將已經濺射Si層的Si片放入5?mol/L?HF和0.02?mol/L?AgNO3體系中進行化學腐蝕，接著在在5?mol/L?HF和0.3?mol/L?H2O2溶液中腐蝕；
復合納米線制備完成。
2.?根據權利要求1所述的制備硅-硅化鐵復合納米線的方法，其特征在于在離子注入過程中，改變注入劑量這個參數，調控硅化鐵薄膜的厚度；在高溫退火過程中，改變退火溫度這個參數，調控硅化鐵顆粒粒徑大小。
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