[發明專利]一種相變隨機存儲器陣列的制備方法有效
| 申請號： | 201110407852.9 | 申請日： | 2011-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN102522500A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發明（設計）人： | 繆向水;周嬌;周文利 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相變 隨機 存儲器 陣列 制備 方法 | ||
1.一種相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，相變隨機存儲器陣列的每一層均依次經過清洗、勻膠、烘烤、光刻、鍍膜和剝離制備獲得。
2.根據權利要求1所述的相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，相變隨機存儲器陣列依次包括下電極層、相變層和上電極層。
3.根據權利要求1所述的相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，在下電極層與相變層之間，以及相變層和上電極層之間均包括絕緣層。
4.根據權利要求1所述的相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，所述剝離具體包括下述過程：將鍍膜后的的樣品放入丙酮中進行浸泡，浸泡后超聲，超聲之后即將光刻膠及其上面的鍍膜材料剝離干凈，剝離干凈后用相繼用酒精、去離子水沖洗后干燥。
5.根據權利要求1所述的相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，所述清冼具體包括下述過程：將樣品放入丙酮中超聲，超聲之后相繼用酒精、去離子水沖洗，干燥去除表面水分。
6.根據權利要求1所述的相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，采用的薄膜工藝為濺射法、蒸發法、化學氣相淀積法、熱氧化法或者金屬有機物熱分解法中的任意一種。
7.根據權利要求1所述的相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，相變隨機存儲器陣列中所使用的電極材料為單金屬材料或者為合金材料。
8.根據權利要求1所述的相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，電極層的薄膜厚度為1nm-1000nm，相變層的薄膜厚度為1nm-200nm。
9.根據權利要求3所述的相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，在絕緣層上制備直徑為1nm-2000nm的小孔。
10.根據權利要求9所述的相變隨機存儲器陣列的制備方法，其特征在于，所述小孔的制備工藝為電子束光刻法、紫外線光刻法或納米壓印法中的任意一種。
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