[發明專利]超級結器件的終端保護結構

有效

• 申請號: 201110407746.0
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN103165670A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 王飛;王永成
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

1.一種超級結器件的終端保護結構，在超級結器件的中間區域為電流流動區，所述電流流動區包含多個并行排列的電流流動區溝槽；其特征在于，

所述超級結器件的終端保護結構成方形環繞于所述電流流動區的外周，所述超級結器件的終端保護結構包括多個短溝槽，所述短溝槽同所述電流流動區溝槽相分離；

其中，位于電流流動區溝槽上方及下方的短溝槽平行于所述電流流動區溝槽，位于電流流動區溝槽左側及右側的短溝槽垂直于所述電流流動區溝槽。

2.根據權利要求1所述的超級結器件的終端保護結構，其特征在于，位于方形終端保護結構四個角部的短溝槽為扇形或梯形。

3.根據權利要求1或2所述的超級結器件的終端保護結構，其特征在于，所述電流流動區溝槽及所述短溝槽形成于摻雜硅外延層中，在所述電流流動區溝槽及所述短溝槽中填充有同摻雜硅外延層反型的摻雜硅。

4.根據權利要求3所述的超級結器件的終端保護結構，其特征在于，所述摻雜硅外延層為P型摻雜，所述電流流動區溝槽及所述短溝槽中填充有N型摻雜硅。

5.根據權利要求3所述的超級結器件的終端保護結構，其特征在于，所述摻雜硅外延層為N型摻雜，所述電流流動區溝槽及所述短溝槽中填充有P型摻雜硅。

6.根據權利要求3所述的超級結器件的終端保護結構，其特征在于，

各短溝槽的長度大于所述摻雜硅外延層的厚度。

7.根據權利要求2所述的超級結器件的終端保護結構，其特征在于，

位于電流流動區溝槽上方及下方的短溝槽等間距，位于電流流動區溝槽左側及右側的短溝槽等間距，位于方形終端保護結構四個角部的短溝槽等間距。

8.根據權利要求3所述的超級結器件的終端保護結構，其特征在于，

所述短溝槽中填充的摻雜硅不接電位。

9.根據權利要求3所述的超級結器件的終端保護結構，其特征在于，

所述短溝槽中填充的摻雜硅，通過同型阱或者金屬走線和電流流動區的源極相連。