[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110407484.8
• 申請日: 2011-12-08
• 公開（公告）號: CN103165519A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 王新鵬;張海洋;洪中山
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有自下而上依次層疊的蝕刻停止層和層間介質層，且在所述層間介質層中形成有銅金屬互連線；

在所述半導體襯底上形成一硅層；

圖形化所述硅層，并依次蝕刻所述硅層和所述層間介質層，以在所述銅金屬互連線之間形成一凹槽；

對所述硅層進行一氧化處理，以縮小所述凹槽的頂部開口；

對所述經氧化處理的硅層實施一離子注入；

在所述半導體襯底上形成一層間介質層，以完全封住所述凹槽的頂部開口。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述硅層。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述硅層的的厚度為50-400埃。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蝕刻工藝實施所述蝕刻。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述蝕刻過程在達到所述蝕刻停止層時終止。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述氧化處理之后，所述凹槽的頂部開口的寬度小于45nm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子注入的注入源為碳源或氮源。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述層間介質層。

9.根據權利要求1或9所述的方法，其特征在于，所述層間介質層的材料為具有低介電常數的材料。

10.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有自下而上依次層疊的蝕刻停止層和層間介質層，且在所述層間介質層中形成有銅金屬互連線；

在所述半導體襯底上形成一硅層；

圖形化所述硅層，并依次蝕刻所述硅層和所述層間介質層，以在所述銅金屬互連線之間形成一凹槽；

對所述硅層進行一氧化處理，以縮小所述凹槽的頂部開口；

在所述半導體襯底上依次形成一蝕刻停止層和一層間介質層，以完全封住所述凹槽的頂部開口。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述硅層。

12.根據權利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述硅層的厚度為50-400埃。

13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，采用干法蝕刻工藝實施所述蝕刻。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述蝕刻過程在達到所述蝕刻停止層時終止。

15.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述氧化處理之后，所述凹槽的頂部開口的寬度小于45nm。

16.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝依次形成所述蝕刻停止層和所述層間介質層。

17.根據權利要求10或16所述的方法，其特征在于，所述蝕刻停止層的材料為碳氮化硅或碳氧化硅。

18.根據權利要求10或16所述的方法，其特征在于，所述層間介質層的材料為具有低介電常數的材料。