[發(fā)明專利]一種塑料襯底上制備薄膜晶體管的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110406897.4
• 申請日: 2011-12-08
• 公開（公告）號: CN102394223A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓德棟;王薇;蔡劍;王漪;張盛東;王亮亮;任奕成;劉曉彥;康晉鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種塑料襯底上制備薄膜晶體管的方法，包括以下步驟：

1)首先在塑料襯底上生長一層隔離層；

2)在隔離層生長一層絕緣層；

3)在絕緣層上生長一層導(dǎo)電薄膜，光刻刻蝕出柵電極；

4)緊接著生長一層?xùn)沤橘|(zhì)薄膜，光刻刻蝕出柵介質(zhì)層；

5)在柵介質(zhì)層上生長一半導(dǎo)體材料層，光刻刻蝕出導(dǎo)電溝道層；

6)生長一層導(dǎo)電薄膜，光刻刻蝕出源、漏電極；

7)生長一層鈍化介質(zhì)層，光刻和刻蝕形成柵、源和漏的引出孔；

8)生長一層金屬薄膜，光刻和刻蝕形成金屬電極和互連。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟1)中，生長的隔離層為50～200納米厚的氮化硅薄膜材料。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟2)中，生長的絕緣層為50～200納米厚的二氧化硅絕緣材料。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟3)所生長的導(dǎo)電薄膜為50～300納米厚的透明導(dǎo)電材料ITO。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4)所生長的柵介質(zhì)材料為50～200納米厚的二氧化硅材料。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟5)所生長的半導(dǎo)體溝道層由50～200納米厚的非晶硅或多晶硅形成。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟6)所生長的導(dǎo)電薄膜由50～300納米厚的透明導(dǎo)電材料ITO形成。