[發明專利]基于陶瓷基板的發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110406771.7
• 申請日: 2011-12-08
• 公開（公告）號: CN102569583A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 周玉剛;姜志榮;賴燃興;黃智聰;陳海英;曾照明;肖國偉
• 申請（專利權）人: 晶科電子(廣州)有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 羅毅萍

1.一種基于陶瓷基板的發光器件，包括至少一LED芯片和承載所述LED芯片的陶瓷基板，其特征在于：

所述LED芯片下表面設有至少一芯片第一電極和芯片第二電極，所述芯片第一電極呈點陣狀離散地分布在所述芯片第二電極之間，并與所述芯片第二電極電氣隔離；

所述陶瓷基板上表面設有基板第一電極和基板第二電極，所述基板第一電極包括第一基座和至少一第一叉指，所述第一叉指設于所述第一基座一端并與所述第一基座電連接，其上表面與至少一所述芯片第一電極電連接；

所述基板第二電極包括第二基座和至少一第二叉指，所述第二叉指設于所述第二基座一端并與所述第二基座電連接，其上表面與所述芯片第二電極電連接；

所述第一叉指與所述第二叉指呈犬牙狀交錯設置。

2.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述LED芯片自上而下設有外延層、N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，所述P型氮化鎵層上設有至少一刻蝕孔，所述刻蝕孔穿過所述多量子阱層直至露出所述N型氮化鎵層；在所述刻蝕孔中露出的N型氮化鎵層上設有N歐姆接觸層，所述P型氮化鎵層上設有P歐姆接觸層；所述N歐姆接觸層和所述P歐姆接觸層上分別設有所述芯片第一電極和所述芯片第二電極。

3.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述陶瓷基板的第一叉指之間和第二叉指之間以及第一叉指和第二叉指之間的相對高度小于1um。

4.如權利要求3所述的發光器件，其特征在于，所述第一叉指和第二叉指通過金屬凸點分別與所述芯片第一電極和芯片第二電極電連接。

5.如權利要求4所述發光器件，其特征在于，所述LED芯片的上表面還設有一熒光粉層。

6.如權利要求5所述的發光器件，其特征在于，所述第一基座和第二基座上還設有一反光層。

7.如權利要求6所述的發光器件，其特征在于，所述基板采用AIN材料制作，其厚度為100～1000um。

8.如權利要求7所述的發光器件，其特征在于，還包括一設于所述基板第一電極和基板第二電極之間并且與所述LED芯片并聯的靜電保護器件。

9.如權利要求8所述的發光器件，其特征在于，所述靜電保護器件為齊納二極管或者兩個反向設置的二極管。

10.一種發光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)制作一如權利要求1所述的LED芯片；

2)通過濺射或者蒸發的方法在陶瓷基板的上表面制作一金屬層，然后在該金屬層上進行光刻或者腐蝕，得到具有權利要求1中所述的基板第一電極輪廓的第一金屬層和具有基板第二電極輪廓的的第二金屬層；

3)通過電鍍或者化學鍍的方法分別在所述第一金屬層和第二金屬層上制作一第三金屬層和第四金屬層后，對所述第三金屬層和第四金屬層進行研磨；

4)通過電鍍或者化學鍍的方法分別在所述第三金屬層和第四金屬層上制作一第五金屬層和第六金屬層，完成所述基板第一電極和基板第二電極的制作；

5)將所述LED芯片下表面的芯片第一電極和芯片第二電極分別邦定到所述陶瓷基板上表面的基板第一電極和基板第二電極。

11.如權利要求10所述的制作方法，其特征在于，在步驟5)之前在所述陶瓷基板或者LED芯片上制作至少一金屬凸點，所述芯片第一電極和芯片第二電極分別通過所述金屬凸點與所述基板第一電極和基板第二電極邦定。

12.如權利要求10或者11所述的制作方法，其特征在于，所述步驟3)中通過研磨后基板第一電極的第一叉指之間和基板第二電極的第二叉指之間以及第一叉指和第二叉指之間的相對高度小于1微米。