[發(fā)明專利]反熔絲存儲器及電子系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110405098.5
• 申請日: 2011-12-08
• 公開（公告）號: CN102544011A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊建祥
• 申請（專利權(quán)）人: 莊建祥
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;G11C17/16
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;常大軍

1.一種反熔絲存儲器，該反熔絲存儲器積成于一集成電路中，其特征在于，包括：

多個(gè)反熔絲元件，其中至少一個(gè)反熔絲元件建造在下列組合的交叉點(diǎn)上：

多個(gè)主動(dòng)區(qū)線摻有第一種類型的摻雜；

多個(gè)多晶硅線摻有第二類的摻雜，且垂直于主動(dòng)區(qū)線，其兩側(cè)無間隔的形成；

主動(dòng)區(qū)線和多晶硅線之間所制造的一層薄氧化膜；

該反熔絲存儲器的周邊元件與該集成電路其他部分的核心邏輯或I/O元件相同，及

該反熔絲存儲器以第一個(gè)電源電壓作用于主動(dòng)區(qū)線上而第二個(gè)電源電壓作用于多晶硅線上，用來擊破交叉點(diǎn)上的薄氧化層時(shí)，如此配置，反熔絲存儲器為可編程的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，主動(dòng)區(qū)和多晶硅線之間的氧化層工藝與互補(bǔ)式金氧半晶體管柵極氧化層工藝相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，主動(dòng)區(qū)和多晶硅線之間的材料與互補(bǔ)式金氧半晶體管柵極氧化層工藝相同，但有不同厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，主動(dòng)區(qū)線之間是由二氧化硅，硅或金屬氧化層的材料來區(qū)隔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，主動(dòng)區(qū)線植入第一種類型的摻雜先于互補(bǔ)式金氧半晶體管元件的源極或漏極植入。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，硅化層成長在多晶硅線或主動(dòng)區(qū)線之上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，主動(dòng)區(qū)線和多晶硅線之間的氧化層厚度小于

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，主動(dòng)區(qū)線于制造氧化膜之前先摻雜第二類型的摻雜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，一層非故意摻雜硅層制造，先于氧化膜制造而后于摻雜第一種類型摻雜的主動(dòng)區(qū)線。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，主動(dòng)區(qū)線或多晶硅線以金屬線每隔N元件跳接一次，其中N≥4。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，主動(dòng)區(qū)線或多晶硅線的電壓擺幅，是編程電壓的一半。

12.一種電子系統(tǒng)，其特征在于，包括：

在多個(gè)電池中，至少有一個(gè)電池提供的電壓在正常條件下為1.0至2.0V；與積成于一集成電路中的一反熔絲存儲器，該反熔絲存儲器被操作連接到電池且包含多個(gè)反熔絲元件，在下列條件中，至少有一個(gè)反熔絲元件建構(gòu)在交叉點(diǎn)上：

多個(gè)主動(dòng)區(qū)線摻有第一種類型的摻雜；

多個(gè)多晶硅線摻有第二種類型的摻雜，且垂直于主動(dòng)區(qū)線，其兩側(cè)無間隔的形成；

主動(dòng)區(qū)和多晶硅線之間所制造的一層薄氧化膜；

反熔絲存儲器的周邊元件與該集成電路其他部分的邏輯核心或I/O元件相同；及

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)電壓作用于主動(dòng)區(qū)線而第二個(gè)電壓作用于多晶硅線上，用來擊破交叉點(diǎn)的薄膜氧化層時(shí)，如此配置，反熔絲存儲器為可編程的。

13.一種反熔絲存儲器，該反熔絲存儲器用于一集成電路，其特征在于，包括：

多個(gè)反熔絲元件，在下列條件中，至少一個(gè)反熔絲元件被建造在交叉點(diǎn)上：

多條導(dǎo)體線；

多條金屬線，且垂直于導(dǎo)體線；

制造于金屬與導(dǎo)體線之間的隔離氧化層；

在金屬與導(dǎo)體線交叉點(diǎn)上所開鑿的多個(gè)接點(diǎn)；

一硅二極管和一層薄氧化層，該氧化層是在放置金屬線之前，制作于至少一個(gè)接點(diǎn)之內(nèi)；

反熔絲存儲器的周邊元件與在該集成電路的其他部分邏輯核心或I/O元件相同；及

當(dāng)?shù)谝粋€(gè)電壓作用于金屬線而第二個(gè)電壓作用于導(dǎo)體線上，用來擊破薄膜氧化層時(shí)，如此配置，反熔絲存儲器為可編程的。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，導(dǎo)體線是多晶硅線。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的反熔絲存儲器，其特征在于，在該反熔絲元件中，導(dǎo)體線是主動(dòng)區(qū)線，且有源極/漏極植入之前的一種濃度植入。