[發明專利]一種禁帶寬度可調的碲鋅鎘薄膜材料的制備方法

無效

• 申請號: 201110404998.8
• 申請日: 2011-12-08
• 公開（公告）號: CN102492927A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 褚君浩;曹鴻;王善力;江錦春;鄔云驊;潘健亮;張傳軍;葛杰
• 申請（專利權）人: 上海太陽能電池研究與發展中心
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種禁帶寬度可調的碲鋅鎘薄膜材料的制備方法，其特征在于步驟如下：

A.基片清洗

清洗工藝過程為：有機溶劑丙酮或酒精→去離子水→鹽酸→去離子水→在超凈環境下氮氣吹干；

B.Cd_1-xZn_xTe復合薄膜的生長

將基片固定在磁控濺射腔室的基片臺上，將由Zn摻雜，摻雜劑量比為0wt％-80wt％的Cd_1-xZn_xTe靶和Zn靶安裝在各自的靶槍上，將濺射腔真空抽至2.9×10^-3Pa，然后在基片上依次生長Cd_1-xZn_xTe/Zn/Cd_1-xZn_xTe/Zn薄膜，其厚度依次控制在100-1000nm/20-100nm/200-2000nm/20-1000nm；

或者在基片上依次生長Zn/Cd_1-xZn_xTe/Zn/Cd_1-xZn_xTe/Zn薄膜，其厚度依次控制在10-50nm/100-1000nm/20-100nm/200-2000nm/20-1000nm；

Cd_1-xZn_xTe薄膜的磁控濺射參數設定為：濺射功率20-50W，濺射氣體為高純Ar氣，濺射氣壓為2.0-3.8Pa，基片溫度為298-673K；

Zn薄膜的磁控濺射參數設定為：濺射功率30-50W，濺射氣體為高純Ar氣，濺射氣壓為1.0-2.0Pa，基片溫度為298-673K；

C.將上述生長好的復合結構薄膜放入快速退火爐中，抽真空至10Pa，通過調節針孔閥，控制通入的高純空氣的流量，使快速退火爐內的壓強為7.5×10⁴Pa，退火溫度473-673K，退火時間20-40min，自然冷卻到室溫取出。

2.根據權利要求1的一種禁帶寬度可調的碲鋅鎘薄膜材料的制備方法，其特征在于：所說的基片為玻璃片、鍍Mo的不銹鋼、鍍Mo的聚酰亞胺。