[發明專利]用于減少應力的偽倒裝芯片凸塊

有效

• 申請號: 201110404906.6
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN102956590A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 吳勝郁;郭庭豪;莊其達;陳承先
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488;H01L23/58
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種器件，包括：

襯底；

金屬焊盤，位于所述襯底上方；

鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的一部分；

鈍化后互連件(PPI)，電連接至所述金屬焊盤，其中所述PPI包括位于所述金屬焊盤和所述鈍化層上方的一部分；

聚合物層，位于所述PPI上方；以及

偽凸塊，位于所述聚合物層上方，其中所述偽凸塊與所述聚合物層下面的導電部件電絕緣。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述偽凸塊與所述聚合物層物理接觸；其中所述偽凸塊包括非可回流凸塊和位于所述非可回流凸塊上方的焊料蓋頂；所述聚合物層是聚酰亞胺層，并且其中，所述偽凸塊包含含銅材料。

3.根據權利要求1所述的器件，進一步包括在所述聚合物層中形成的非可回流電連接件，其中所述電連接件電連接至所述PPI；所述器件進一步包括封裝元件，其中，所述封裝元件包括：接合至所述非可回流的電連接件的另一電連接件；以及位于所述封裝元件的表面的介電層，其中所述偽凸塊與所述介電層相接觸，并且通過所述介電層與所述封裝元件中的導電部件電絕緣。

4.一種器件，包括：

第一封裝元件，包括電連接件；

第二封裝元件，通過所述電連接件接合至所述第一封裝元件；以及

偽凸塊，位于所述第一封裝元件和所述第二封裝元件之間，其中，所述偽凸塊與所述第一封裝元件和所述第二封裝元件至少之一中的導電部件電絕緣。

5.根據權利要求4所述的器件，其中，所述第一封裝元件和所述第二封裝元件每一個都選自基本上由器件管芯、插件、封裝襯底、及其封裝件組成的組；

其中，所述偽凸塊是電浮置的；

其中，所述偽凸塊包含位于所述偽凸塊相對面上的第一表面和第二表面，并且其中，所述第一表面與位于所述第一封裝元件表面上的第一介電層相接觸，并且所述第二表面與位于所述第二封裝元件表面上的第二介電層相接觸其中，所述第一介電層包含聚酰亞胺，并且其中，所述第一封裝元件是器件管芯，且所述偽凸塊包括非可回流部分和焊料蓋頂，所述非可回流部分與所述第一介電層物理接觸，所述焊料蓋頂與所述第二介電層物理接觸。

6.根據權利要求4所述的器件，進一步包括底部填充物，所述底部填充物位于所述第一封裝元件和所述第二封裝元件之間，其中所述底部填充物與所述電連接件和所述偽凸塊物理接觸。

7.一種方法，包括：

形成第一封裝元件，其中所述形成步驟包括下列步驟：

形成包括位于金屬焊盤上方的一部分的鈍化層；

形成電連接至所述金屬焊盤的鈍化后互連件(PPI)，其中所述PPI包括位于所述金屬焊盤和所述鈍化層上方的一部分；

在所述PPI上方形成聚合物層；

形成位于所述PPI上方并電連接至所述PPI的電連接件，其中所述電連接件包括位于所述聚合物層的頂面上方的一部分；以及

在所述聚合物層上方形成偽凸塊，其中所述偽凸塊與所述聚合物層下面的所有導電部件絕緣。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述電連接件和所述偽凸塊的步驟包括：

在所述聚合物層中形成開口；

形成延伸至所述開口內的凸塊下金屬化(UBM)層；

在所述UBM層上方形成掩模；

圖案化所述掩模以形成第一開口和第二開口，其中，所述第一開口的一部分位于一部分所述PPI的上方，并與該部分PPI垂直對準，以及整個所述第二開口位于一部分所述聚合物層的上方，并與該部分所述聚合物層垂直對準；

在所述第一開口中形成第一凸塊；

在所述第二開口中形成第二凸塊；

去除所述掩模；以及

去除被所述掩模覆蓋的所述UBM層的部分，其中，所述第一凸塊和直接位于所述第一凸塊下方的所述UBM層的第一部分形成所述電連接件，并且其中，所述第二凸塊和直接位于所述第二凸塊下方的所述UBM層的第二部分形成所述偽凸塊，其中，所述UBM層的所述第二部分具有底部，所述底部與所述聚合物層物理接觸并且不電連接至所述第一封裝元件中的任何PPI。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述偽凸塊的整個底面與所述聚合物層物理接觸，其中，同時形成所述電連接件和所述偽凸塊。

10.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：接合所述第一封裝元件與第二封裝元件，其中所述電連接件接合至所述第一封裝元件中的另一電連接件，其中，所述第二封裝元件包括位于表面的介電層，并且其中，所述偽凸塊與所述介電層物理接觸。