[發明專利]一種低溫超導磁體的冷卻方法及其系統

有效

• 申請號: 201110404855.7
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN102436898A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 朱思華;高慧賢;熊小偉;葛正福;張豐收;劉向宏;馮勇
• 申請（專利權）人: 西部超導材料科技有限公司
• 主分類號: H01F6/04
• 分類號: H01F6/04
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種低溫超導磁體的冷卻方法，其特征在于步驟如下：

步驟1：將超導磁體線圈置于一個三重空腔的中心空腔中，將外圍的空腔抽真空至10^-3Pa；

步驟2：將中心空腔和中間空腔充滿液氮，使得中心空腔和中間空腔的溫度由室溫冷卻到液氮溫度77K；

步驟3：將中心空腔進行密封后充入液氦，同時排出全部液氮，使得溫度由77K降為4.2K，完成低溫超導磁體冷卻；

在步驟2和步驟3的過程中，所述中間空腔保持充滿液氮。

2.一種實現權利要求1所述方法的系統，其特征在于包括充液氮閥(1)、充液氦閥(2)、液氮液面計(3)、液氮閥(4)、中心孔(5)、排氦氣閥(6)、真空閥(7)、真空腔(8)、液氮管(9)、充液氦管(11)、排氦氣管(12)、液氮存儲腔(13)和液氦存儲腔(14)；在一個密閉空間內的中心部位設有液氦存儲腔(14)，液氦存儲腔(14)之外設有液氮存儲腔(13)，最外圍設有真空腔(8)；密閉空間的上端設有端蓋，端蓋中心設有中心孔(5)，液氮管(9)和液氮液面計(3)下端連接的高溫超導線(10)中心孔(5)插入腔體，液氮管(9)上設有液氮閥(4)；位于液氦存儲腔(14)的端蓋部位設有充液氦閥(2)和插入液氦存儲腔(14)內的充液氦管(11)，以及排氦氣閥(6)和插入液氦存儲腔(14)內的排氦氣管(12)；位于液氮存儲腔(13)的端蓋部位設有充液氮閥(1)，位于真空腔8的端蓋部位設有真空閥(7)。

3.根據權利要求1所述的低溫超導磁體，其特征在于：所述的液氦存儲腔(14)的中部為向液氮存儲腔(13)延伸的環形凹槽。