[發明專利]一種碳化硅粉體及其制備方法

無效

• 申請號: 201110404099.8
• 申請日: 2011-12-08
• 公開（公告）號: CN102491333A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 王周福;張少偉;劉浩;王璽堂;張保國
• 申請（專利權）人: 武漢科技大學
• 主分類號: C01B31/36
• 分類號: C01B31/36;B82Y40/00
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.一種碳化硅粉體的制備方法，其特征在于先以5~20wt%的納米二氧化硅或硅微粉、0.5~2.5wt%的炭黑或土狀石墨粉、70~88wt%的堿金屬氯化物和5~15wt%的鋁粉為原料，混合均勻；再將混合均勻的原料置于管式電爐內，在氬氣氣氛下以4~10℃/min的升溫速率升至800~1000℃，保溫2~10小時；然后將所得產物放入濃度為2~5mol/L的硝酸中浸泡3~8小時，過濾，用去離子水清洗至清洗液的pH值為7.0，最后在110℃條件下干燥8~24小時，即得碳化硅粉體。

2.根據權利要求1所述的碳化硅粉體的制備方法，其特征在于所述納米二氧化硅的比表面積大于160m²/g。

3.根據權利要求1所述的碳化硅粉體的制備方法，其特征在于所述硅微粉的粒徑小于180μm，SiO₂含量≥99wt%。

4.根據權利要求1所述的碳化硅粉體的制備方法，其特征在于所述炭黑的比表面積大于70m²∕g，粒徑為2~3nm。

5.根據權利要求1所述的碳化硅粉體的制備方法，其特征在于所述土狀石墨粉的粒徑小于74μm。

6.根據權利要求1所述的碳化硅粉體的制備方法，其特征在于所述堿金屬氯化物為氯化鈉、氯化鉀和氯化鋰中的一種；其中：氯化鈉為分析純，純度≥99.5wt%；氯化鉀為分析純，純度≥99.5wt%；氯化鋰為分析純，純度≥99wt%。

7.根據權利要求1所述的碳化硅粉體的制備方法，其特征在于所述鋁粉粒徑小于74μm，純度≥99wt%。

8.根據權利要求1~7項中任一項所述的碳化硅粉體的制備方法所制備的碳化硅粉體。