[發明專利]一種N型絕緣體上硅橫向雙擴散場效應晶體管

有效

• 申請號: 201110404027.3
• 申請日: 2011-12-08
• 公開（公告）號: CN102437192A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;劉斯揚;王昊;葉楚楚;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種N型絕緣體上硅橫向雙擴散場效應晶體管，包括：N型襯底(1)，在N型襯底(1)上設有埋氧(2)，在埋氧(2)上設有N型外延層(3)，在N型外延層(3)的內部設有N型緩沖阱(4)和P型體區(14)，在N型緩沖阱(4)內設有N型陽區(5)，在P型體區(14)中設有N型陰區(13)和P型體接觸區(12)，在N型外延層(3)的表面設有柵氧化層(10)和場氧化層(8)且柵氧化層(10)的一端和場氧化層(8)的一端相抵，所述柵氧化層(10)的另一端向N型陰區(13)延伸并止于N型陰區(13)，所述場氧化層(8)的另一端向N型陽區(5)延伸并止于N型陽區(5)，在柵氧化層(10)的表面設有多晶硅柵(9)且多晶硅柵(9)延伸至場氧化層(8)的表面，在場氧化層(8)、P型體接觸區(12)、N型陰區(13)、多晶硅柵(9)和N型陽區(5)的表面設有鈍化層(7)，在N型陽區(5)表面連接有第一金屬層(6)，在P型體接觸區(12)和N型陰區(13)連接有第二金屬層(11)，其特征在于，在N型外延層(3)內且在柵氧化層(10)的下方設有P型阱區(15)，P型阱區(15)和P型體區(14)構成階梯狀P型摻雜，所述P型阱區(15)的P型摻雜濃度低于P型體區(14)，且P型阱區(15)的一側與場氧化層(8)相切，另一側與P型體區(14)相抵。

2.根據權利要求1所述的N型絕緣體上硅橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于P型阱區(15)的摻雜濃度是P型體區(14)摻雜濃度的十分之一到五分之一。

3.根據權利要求1所述的N型絕緣體上硅橫向雙擴散場效應晶體管，其特征在于P型阱區(15)的結深是P型體區(14)結深的三分之一到二分之一。