[發明專利]倒裝芯片金凸點的制作方法

在審

• 申請號: 201110403757.1
• 申請日: 2011-12-06
• 公開（公告）號: CN103151275A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 劉葳;金鵬
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、采用絲網印刷的方法將高粘度的助焊劑印刷在電極UBM鍍層上；

S2、采用植球器，選擇一塊兒相匹配的模板，將金球放置在焊接鍍層上，并保證金球粘附在芯片電極UBM層上；

S3、采用激光重熔金球，選擇合適的照射時間和功率，獲得符合形態要求和電學、機械性能要求的金凸點；

S4、完成芯片金凸點制作后，可以采用超聲壓接的方式也可以采用銀膠粘結的方式倒裝在基板上，后者便于修復。

S5、所述發明根據助劑的不同，在回流焊接后如果有有機物殘留，可以添加清洗工藝，通常采用工業酒精、丙酮或者去離子水進行清洗。

2.根據權利要求1所述的倒裝芯片金凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，采用高粘度的助焊劑，起到粘結和助焊作用，應保證印刷后助焊劑圖形清晰、不漫流。

3.根據權利要求1所述的倒裝芯片金凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述助焊劑是通過點膠機的方式將助焊劑制作在金屬層表面的。

4.據權利要求1所述的倒裝芯片金凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述助焊劑是通過印刷方式將助焊劑制備在金屬層表面的。

5.根據權利要求1至4任一所述的倒裝芯片金凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述金屬層為鋁電極上鍍金層。

6.根據權利要求1所述的倒裝芯片金凸點的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述凸點間距可以到納米量級，不存在橋接問題。

7.根據權利要求1所述的倒裝芯片金凸點的制備方法，其特征在于，步驟S3中，采用單束激光或者多束激光照射金球，選擇合適的照射時間，同時2-5秒鐘，照射功率以金球充分熔化為好，不能過高也不能過低。

8.據權利要求1所述的倒裝芯片金凸點的制備方法，其特征在于，步驟S4中，所述焊接技術包括加熱、加壓超聲焊接或銀膠粘接。

9.據權利要求1所述的倒裝芯片金凸點的制備方法，其特征在于，步驟S5中，所述基板為PCB板、鋁基板或陶瓷基板。