[發明專利]堆疊式封裝結構

在審

• 申請號: 201110402818.2
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN102487059A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 金容勛;李稀石;辛成浩;俞世浩;李允熙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/50
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金光軍;韓明星

1.一種堆疊式封裝結構，該堆疊式封裝結構包括：

堆疊式封裝件，所述堆疊式封裝件包括：下半導體封裝件；上半導體封裝件，設置在下半導體封裝件上，并與下半導體封裝件隔開預定距離；封裝件間連接部，將下半導體封裝件和上半導體封裝件電連接，同時支撐下半導體封裝件和上半導體封裝件之間的空間；絕緣層，至少設置在封裝件間連接部的外部，并填充下半導體封裝件和上半導體封裝件之間的空間；

電磁屏蔽層，圍繞所述堆疊式封裝件的側表面和頂表面。

2.根據權利要求1所述的堆疊式封裝結構，其中，絕緣層包括粘合底層填充材料、介電材料或絕緣帶。

3.根據權利要求1所述的堆疊式封裝結構，其中，絕緣層設置在除了封裝件間連接部之外的所有區域或者部分區域。

4.根據權利要求1所述的堆疊式封裝結構，其中，屏蔽層包括軟磁材料層、鐵氧體碳納米管層或金屬層。

5.根據權利要求1所述的堆疊式封裝結構，其中，屏蔽層通過涂覆或鍍覆形成。

6.根據權利要求1所述的堆疊式封裝結構，其中：

下半導體封裝件包括下封裝基底、形成在下封裝基底的頂表面上的下半導體芯片以及至少圍繞下半導體芯片的側表面的下模塑料，

上半導體封裝件包括上封裝基底以及形成在上封裝基底的頂表面上的上半導體芯片，

封裝件間連接部，從下封裝基底的頂表面突出并延伸穿過下模塑料，以將下封裝基底的頂表面連接到上封裝基底的底表面。

7.根據權利要求6所述的堆疊式封裝結構，其中，封裝件間連接部包括：第一導體，接觸下封裝基底的頂表面；第二導體，接觸上封裝基底的底表面。

8.根據權利要求7所述的堆疊式封裝結構，其中，下模塑料包括開口，該開口延伸穿過下模塑料，以使下封裝基底的頂表面暴露，第一導體嵌入在所述開口中。

9.根據權利要求7所述的堆疊式封裝結構，其中，下模塑料包括開口，該開口延伸穿過下模塑料，以使第一導體的表面暴露，第二導體的下部形成在所述開口中，并且第二導體的上部突出到下模塑料的頂表面之上。

10.根據權利要求7所述的堆疊式封裝結構，其中，在豎直高度、水平寬度和體積中的至少一個方面，第二導體比第一導體大。

11.根據權利要求7所述的堆疊式封裝結構，其中，封裝件間連接部還包括第三導體，第三導體置于第一導體和第二導體之間。

12.根據權利要求6所述的堆疊式封裝結構，其中，下模塑料使下半導體芯片的頂表面暴露。

13.根據權利要求6所述的堆疊式封裝結構，其中，上半導體芯片的水平寬度大于下半導體芯片的水平寬度。

14.根據權利要求6所述的堆疊式封裝結構，其中，上半導體封裝件還包括豎直堆疊在上半導體芯片的頂表面上的一個或多個半導體芯片。

15.根據權利要求6所述的堆疊式封裝結構，其中，絕緣層設置在封裝件間連接部的外部，并與下模塑料由相同的材料制成。

16.一種堆疊式封裝結構，該堆疊式封裝結構包括：

下半導體封裝件，所述下半導體封裝件包括下封裝基底、形成在下封裝基底的頂表面上的下半導體芯片以及至少圍繞下半導體芯片的側表面的下模塑料；

上半導體封裝件，所述上半導體封裝件包括上封裝基底以及形成在上封裝基底的頂表面上的上半導體芯片，所述上半導體封裝件設置在下半導體封裝件上，使得上封裝基底的底表面與下模塑料隔開預定距離；

封裝件間連接部，從下封裝基底的頂表面延伸穿過下模塑料，并將下封裝基底的頂表面連接到上封裝基底的底表面；

絕緣層，至少設置在封裝件間連接部的外部，并填充上封裝基底的底表面與下模塑料之間的空間；

電磁屏蔽層，圍繞包括下半導體封裝件、上半導體封裝件、封裝件間連接部和絕緣層的結構的側表面和頂表面。