[發明專利]化合物半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110402797.4
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN102569377A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 金村雅仁;吉川俊英;今西健治
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/51;H01L21/335
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 劉曉飛;張龍哺

1.一種化合物半導體器件，包括：

化合物半導體層；

第一膜，形成在所述化合物半導體層的上方，所述第一膜在與所述化合物半導體層的界面處處于帶負電狀態或非帶電狀態；

第二膜，形成在所述第一膜的上方，所述第二膜在與所述第一膜的界面處處于帶正電狀態；以及

柵極，被嵌入在所述第二膜中形成的開口中。

2.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中，

所述第一膜包含氮化鋁；并且所述第二膜包含選自氧化鋁、氮氧化鋁、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化硼、氧化鉿、氮化鉿以及氮氧化鉿組里的至少一種化合物。

3.根據權利要求2所述的化合物半導體器件，其中，

所述第一膜的所述氮化鋁具有多晶結構。

4.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，

其中，所述化合物半導體層包括電子傳輸層和電子供應層，該電子傳輸層處產生二維氣體，該電子供應層位于所述電子傳輸層上方；并且

其中，所述電子供應層具有能夠防止當所述化合物半導體層的表面暴露時在所述電子傳輸層處產生二維氣體的厚度和構成。

5.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，還包括：

第三膜，形成在所述第二膜的上方且覆蓋在所述第二膜中形成的所述開口的內壁表面，

其中，被嵌入所述開口中的所述柵極在所述第三膜的上方形成。

6.一種化合物半導體器件的制造方法，包括：

在化合物半導體層的上方形成第一膜，所述第一膜在與所述化合物半導體層的界面處處于帶負電狀態或非帶電狀態；

在所述第一膜的上方形成第二膜，所述第二膜在與所述第一膜的界面處處于帶正電狀態；

在所述第二膜中形成開口；以及

形成嵌入所述開口中的柵極。

7.根據權利要求6所述的方法，

其中，所述化合物半導體層包括電子傳輸層和電子供應層，該電子傳輸層處產生二維氣體，該電子供應層位于所述電子傳輸層上方；并且

其中，在形成所述第一膜之前形成所述電子供應層以便具有能夠防止當所述化合物半導體層的表面暴露時在所述電子傳輸層處產生二維氣體的厚度和構成。

8.根據權利要求6所述的方法，

其中，所述第一膜包含氮化鋁；并且

其中，所述第二膜包含選自氧化鋁、氮氧化鋁、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化硼、氧化鉿、氮化鉿以及氮氧化鉿組里的至少一種化合物。

9.根據權利要求6所述的方法，還包括：

在所述第二膜的上方形成第三膜以便在所述第二膜中形成所述開口之后覆蓋所述開口的內壁表面，

其中，所述柵極在所述第三膜的上方形成以被嵌入所述開口中。

10.根據權利要求6所述的方法，其中，

通過原子層沉積形成所述第一膜和所述第二膜。

11.根據權利要求6所述的方法，其中，

所述第一膜的所述氮化鋁具有多晶結構。