[發明專利]一種抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構

有效

• 申請號: 201110402796.X
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN102437179A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 張正選;劉張李;胡志遠;寧冰旭;畢大煒;陳明;鄒世昌
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構至少包括：具有源區，漏區及溝道區的有源區，位于所述有源區四周側的淺溝道隔離槽，覆蓋于所述溝道區上的柵區，且所述柵區朝向該有源區的相對兩側橫向延伸并超出該有源區的相對兩側邊緣，以及兩縱向延伸的虛設淺溝道隔離區，其中，所述兩虛設淺溝道隔離區分別形成于所述有源區兩側的邊緣內并與所述柵區的延伸方向相垂直。

2.根據權利要求1所述的抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于：所述版圖結構還包括設置于所述柵區一端的接觸區。

3.根據權利要求1或2所述的抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于：所述虛設淺溝道隔離區由一個虛設淺溝道隔離槽或者至少兩個間隔排列的虛設淺溝道隔離槽組成。

4.根據權利要求3所述的抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于：所述虛設淺溝道隔離槽的寬度大于或等于制備該結構版圖使用的深亞微米工藝所能達到的最小線寬。

5.根據權利要求3所述的抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于：在0.35微米工藝中，所述虛設淺溝道隔離槽的寬度為0.35μm～0.5μm。

6.根據權利要求3所述的抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于：在0.18微米工藝中，所述虛設淺溝道隔離槽的寬度為0.18μm～0.25μm。

7.根據權利要求3所述的抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于：在0.13微米工藝中，所述虛設淺溝道隔離槽的寬度為0.13μm～0.2μm。

8.根據權利要求3所述的抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于：在0.11微米工藝中，所述虛設淺溝道隔離槽的寬度為0.11μm～0.18μm。

9.根據權利要求3所述的抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于：所述兩虛設淺溝道隔離區分別與所述有源區兩側的邊緣具有一預設的間距。

10.根據權利要求9所述的抗總劑量輻射加固深亞微米器件的版圖結構，其特征在于：所述虛設淺溝道隔離槽為至少兩個，且所述虛設淺溝道隔離區內各該虛設淺溝道隔離槽的間距等于所述虛設淺溝道隔離區與所述有源區兩側的邊緣的間距。