[發(fā)明專利]發(fā)光裝置封裝件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110402793.6
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN102543981A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 李相炫;黃圣德
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 郭鴻禧

本申請要求于2010年12月2日提交到韓國知識產權局的第10-2010-0121990號韓國專利申請的權益，該申請的公開通過引用包含于此。

技術領域

下面的描述的示例實施例涉及一種發(fā)光裝置(LED)封裝件及其制造方法，通過在晶片級執(zhí)行制造工藝，能夠來減小產品的尺寸并簡化制造工藝。

背景技術

近來，發(fā)光裝置(LED)已應用到小型家用電器、室內商品，并且還應用到包括大尺寸背光單元(BLU)、普通照明裝置和電子裝置的各種產品。

在這些應用LED的產品中，需要增大設計的自由度。例如，為了減小用于更纖薄的TV的BLU的寬度并實現(xiàn)各種類型的普通照明裝置和電子裝置，需要使LED的尺寸減小。

圖1示出了傳統(tǒng)LED封裝件10的結構的剖視圖。參照圖1，通過在封裝件主體11上安裝LED14來構造LED封裝件10。

封裝件主體11包括通過設置在封裝件主體11上表面處的腔11a的底表面暴露的第一引線框架12和第二引線框架13。

LED14可以包括設置在一個表面上的具有不同極性的兩個電極焊盤。兩個電極焊盤安裝在封裝件主體11上以分別與第一引線框架12和第二引線框架13接觸。磷光體樹脂層15形成在包括LED14的封裝件主體11處。透鏡單元16設置在磷光體樹脂層15上。

然而，由于封裝件主體11與LED14相比相對大，所以如圖1中所示的LED封裝件10在減小LED封裝件尺寸方面存在限制。此外，在應用LED封裝件10的產品中，設計方面的自由度的增大受到限制。

另外，由于LED14作為單獨的芯片被安裝到封裝件主體11，所以大批量生產變得困難。此外，制造工藝復雜，因此增大了加工成本和時間。

發(fā)明內容

根據(jù)示例實施例，提供了一種發(fā)光裝置(LED)封裝件及其制造方法，通過以晶片級執(zhí)行制造工藝，即，通過使用結合絕緣圖案層和結合金屬圖案層來將包括多個LED的第一基底結合到包括多個通孔和形成在通孔中的布線圖案層的第二基底，能夠減小產品的尺寸并簡化制造工藝。

通過提供一種發(fā)光裝置(LED)封裝件實現(xiàn)了前述和/或其他方面，所述發(fā)光裝置(LED)封裝件包括：LED，包括設置在LED一個表面上的第一電極焊盤和第二電極焊盤；結合絕緣圖案層，被構造成暴露第一電極焊盤和第二電極焊盤；基底，包括從第一表面向第二表面成孔的通孔以及形成在通孔的內表面上延伸至第二表面的一部分的布線金屬層；以及結合金屬圖案層，結合到通過通孔在基底的第一表面處暴露的布線金屬層，結合金屬圖案層還結合到第一電極焊盤和第二電極焊盤。

LED可以包括：發(fā)光結構，包括第一氮化物基半導體層和第二氮化物基半導體層，并具有暴露第一氮化物基半導體層的一部分的臺面結構；第一電極焊盤，設置在被暴露的第一氮化物基半導體層上；第二電極焊盤，設置在第二氮化物基半導體層上；磷光體樹脂層，設置在第一氮化物基半導體層的光提取表面上；以及透鏡單元，設置在磷光體樹脂層上。

第一氮化物基半導體層的光提取表面可以包括不平坦表面圖案。

形成在基底中的通孔可以具有從第一表面向第二表面增大的直徑，從而所述內表面具有大約65°至大約90°的傾斜角。

布線金屬層可以以均勻的厚度形成在通孔的內表面上并可以以與通孔的內部相同的形狀形成。

通過提供一種制造LED封裝件的方法實現(xiàn)了前述和/或其他方面，所述方法包括：準備第一基底，第一基底包括多個LED，每個LED形成有設置在LED一個表面上的第一電極焊盤和第二電極焊盤，并且第一基底包括被構造成暴露第一電極焊盤和第二電極焊盤的結合絕緣圖案層；準備第二基底，第二基底包括多個通孔和布線金屬層，所述多個通孔從第一表面向第二表面成孔，布線金屬層形成在所述多個通孔的內表面上延伸至第二表面的一部分；形成結合金屬圖案層，結合金屬圖案層結合到由所述多個通孔在第二基底的第一表面處暴露的布線金屬層；將第一基底安裝到第二基底，使得第一電極焊盤和第二電極焊盤面對結合金屬圖案層；結合第一基底和第二基底；以及通過加工第一基底和第二基底制造被分成單元芯片的LED封裝件。

準備第一基底可以包括：在藍寶石基底上形成包括第一氮化物基半導體層、有源層和第二氮化物基半導體層的發(fā)光結構；蝕刻有源層和第二氮化物基半導體層使第一氮化物基半導體層的一部分暴露；在第一氮化物基半導體層上形成第一電極焊盤并在第二氮化物基半導體層上形成第二焊盤；在形成有第一電極焊盤和第二電極焊盤的一個表面上形成結合絕緣材料；以及通過圖案化結合絕緣材料來形成結合絕緣圖案層使得第一電極焊盤和第二電極焊盤暴露。