[發明專利]制造半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201110402768.8
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN102569173A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 樸炳律;崔吉鉉;方碩哲;文光辰;林東燦
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;劉燦強

1.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

準備具有第一表面和與第一表面相對的第二表面的基底；

在基底的將形成貫通電極的區域中形成犧牲層圖案，所述犧牲層圖案沿基底的厚度方向從基底的第一表面延伸；

在基底的第一表面上形成上部布線層，所述上部布線層包括位于犧牲層圖案上的布線；

將基底的第二表面部分地去除以暴露犧牲層圖案；

從基底的第二表面去除犧牲層圖案，以形成暴露所述布線的第一開口；以及

在第一開口中形成要電連接到所述布線的貫通電極。

2.如權利要求1所述的方法，其中，形成犧牲層圖案的步驟包括：

在基底中形成第二開口，所述第二開口沿基底的厚度方向從第一表面延伸；

在第二開口的側壁和底表面上形成第一絕緣層；

在第一絕緣層上形成犧牲層；以及

部分地去除犧牲層，以形成部分地填充第二開口的犧牲層圖案。

3.如權利要求2所述的方法，其中，使用相對于第一絕緣層具有蝕刻選擇性的絕緣材料來形成犧牲層。

4.如權利要求3所述的方法，其中，犧牲層的蝕刻速率是第一絕緣層的蝕刻速率的至少三倍。

5.如權利要求3所述的方法，其中，犧牲層和第一絕緣層的蝕刻選擇性的范圍在3∶1至20∶1。

6.如權利要求2所述的方法，其中，形成犧牲層圖案的步驟包括通過化學機械拋光工藝或蝕刻工藝部分地去除犧牲層。

7.如權利要求1所述的方法，所述方法還包括在形成暴露所述布線的第一開口之后在第一開口的側壁上形成分隔件。

8.如權利要求1所述的方法，其中，犧牲層圖案具有形成其中的空隙。

9.如權利要求1所述的方法，所述方法還包括在犧牲層圖案上形成覆層。

10.如權利要求9所述的方法，其中，形成暴露所述布線的第一開口的步驟包括當從基底去除犧牲層圖案時部分地去除覆層。

11.如權利要求1所述的方法，其中，沿第一開口的外形共形地形成貫通電極，以部分地填充第一開口。

12.如權利要求11所述的方法，其中，貫通電極在其下部包括凹進。

13.如權利要求1所述的方法，其中，部分地去除基底的第二表面以暴露犧牲層圖案的步驟包括：

部分地去除基底的第二表面，以暴露犧牲層圖案的一部分；

在基底的第二表面上形成第二絕緣層，以覆蓋暴露的犧牲層圖案；以及

部分地去除第二絕緣層，以形成暴露犧牲層圖案的下部的第二絕緣層圖案。

14.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

提供具有第一凹進的基底；

在基底的第一表面上形成犧牲層圖案，所述犧牲層圖案填充在第一凹進中；

在基底的第一表面上形成上部布線層；

通過部分地去除基底的第二表面來暴露犧牲層圖案，所述第二表面與基底的第一表面相對；

通過從第一凹進去除暴露的犧牲層圖案來暴露上部布線層；以及

形成連接到暴露的上部布線層的貫通電極，其中，貫通電極電連接到暴露的上部布線層中的布線。

15.如權利要求14所述的方法，所述方法還包括：

在暴露所述上部布線層之后，在第一凹進的側壁上共形地形成絕緣層；

蝕刻絕緣層，以在第一凹進的側壁上形成分隔件；以及

在分隔件上形成種子層，貫通電極形成在種子層上。

16.如權利要求14所述的方法，其中，在基底的第一表面上形成犧牲層圖案的步驟包括用用來形成犧牲層圖案的絕緣材料填充第一凹進。

17.如權利要求16所述的方法，其中，犧牲層圖案具有空隙。

18.如權利要求14所述的方法，所述方法還包括：

在形成上部布線層之前，在犧牲層圖案上形成覆層，

其中，暴露上部布線層的步驟包括部分地去除所述覆層。