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[發明專利]太陽能電池有效

專利信息
申請號: 201110402586.0 申請日: 2011-11-30
公開(公告)號: CN102420267A 公開(公告)日: 2012-04-18
發明(設計)人: 劉書謙 申請(專利權)人: 友達光電股份有限公司
主分類號: H01L31/052 分類號: H01L31/052;H01L31/0232
代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 代理人: 梁揮;王穎
地址: 中國臺灣新竹科*** 國省代碼: 中國臺灣;71
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 太陽能電池
【權利要求書】:

1.一種太陽能電池,其特征在于,包括:

一反射層,具有一第一表面,且該反射層在該第一表面之下具有一光散射部,該光散射部在平行于該第一表面的一橫向上具有相對介電常數的變化,其中在以該光散射部中任意一點為圓心并且沿該橫向輻射半徑約為1微米的圓內,相對介電常數變化約大于3;

多個半導體層,依序堆疊于該第一表面上,用以吸收外界的光能以產生電能;以及

一蓋層,配置于這些半導體層上,其中該反射層與最下層的該半導體層之間具有一第一介面,該蓋層與最上層的該半導體層之間具有一第二介面,且該第一介面與該第二介面中至少一個實質上為平滑面。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中該平滑面的均方根粗糙度約小于20納米。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中這些半導體層之間的這些介面皆實質上為平滑面。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,其中各該平滑面的均方根粗糙度約小于20納米。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中在該光散射部中任意一橫向距離約為1微米的范圍內,相對介電常數變化約大于3。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中該光散射部在該橫向上的相對介電常數變化約小于120。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中該光散射部的頂部與該第一表面的距離約小于10納米。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池,其特征在于,其中該光散射部的底部與該第一表面的距離約大于40納米。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中該光散射部包括一第一材料以及一第二材料,該第一材料的相對介電常數為正值,該第二材料的相對介電常數為負值。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池,其特征在于,其中該第一材料的相對介電常數接近1。

11.根據權利要求9所述的太陽能電池,其特征在于,其中該第二材料的相對介電常數約小于-1。

12.根據權利要求9所述的太陽能電池,其特征在于,其中該第一材料與該第二材料的體積總和在該光散射部內所占的比例實質上約為50%。

13.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中這些半導體層包括:

一第一半導體層,為第一導電型,該第一半導體層配置于該反射層上;以及

一第二半導體層,為第二導電型,該第二半導體層配置于該第一半導體層上,該第一導電型與該第二導電型互為N型與P型。

14.根據權利要求13所述的太陽能電池,其特征在于,其中這些半導體層還包括一第一本質層,配置于該第一半導體層與該第二半導體層之間。

15.根據權利要求14所述的太陽能電池,其特征在于,其中這些半導體層還包括:

一第三半導體層,為第一導電型,該第三半導體層配置于該反射層與該第一半導體層之間;

一第四半導體層,為第二導電型,該第四半導體層配置于該第三半導體層與該第一半導體層之間;以及

一第二本質層,配置于該第三半導體層與該第四半導體層之間。

16.根據權利要求13所述的太陽能電池,其特征在于,還包括一透明導電層,配置于該蓋層與該第二半導體層之間。

17.根據權利要求13所述的太陽能電池,其特征在于,還包括多個電極,配置于該第二半導體層上,且該蓋層暴露出這些電極。

18.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中該蓋層包括一透明基板或一抗反射層。

19.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中該光散射部包括分布于該反射層內的多個圖案。

20.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,其中,這些半導體層中主要吸收光的材料包括單晶硅、多晶硅、微晶硅、或納米晶硅其中至少一種。

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