[發明專利]溝槽型絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

有效

• 申請號: 201110402562.5
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN103151251A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 唐紅祥;孫永生;計建新;馬衛清
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/331;H01L21/24;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/36
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 唐立;王忠忠

1.一種溝槽型絕緣柵雙極型晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底的第一面上外延生長外延層；

在所述半導體襯底的第二面上制備形成所述溝槽型絕緣柵雙極型晶體管的柵極和發射極；

對所述外延層進行減薄以形成集電區；以及

在所述集電區上金屬化以形成集電極。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溝槽型絕緣柵雙極型晶體管為溝槽型場截止絕緣柵雙極型晶體管；并且

所述外延生長步驟中，包括：

在所述半導體襯底的第一面上外延生長用于形成緩沖層的第一外延層；以及

在所述第一外延層上外延生長用于形成集電區的第二外延層。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，在對所述外延層進行減薄的步驟中，對所述第二外延層進行減薄。

4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述半導體襯底為N型摻雜，所述第一外延層為N型摻雜，所述第二外延層為P型摻雜。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述半導體襯底的摻雜濃度范圍為1×10⁹離子/cm³至1×10¹⁵離子/cm³。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一外延層的摻雜濃度范圍為1×10¹⁴離子/cm³至1×10²²離子/cm³，所述第一外延層的厚度范圍為0.0001微米至100微米。

7.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第二外延層的摻雜濃度范圍為1×10¹⁴離子/cm³至1×10²³離子/cm³，所述第二外延層的厚度范圍為1微米至600微米。

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述外延生長的溫度范圍為1100℃至1240℃。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述集電極為Al/Ti/Ni/Ag的復合層結構；或者為Ti/Ni/Ag的復合層結構；或者為Al/V/Ni/Ag的復合層結構。

10.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在外延生長外延層步驟之前，對所述半導體襯底的第一面進行拋光。

11.一種按照如權利要求1至10中任一項所述方法制備形成的溝槽型絕緣柵雙極型晶體管。