[發明專利]能減少殘余漿料的化學機械拋光方法有效
| 申請號: | 201110402474.5 | 申請日: | 2011-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN103128649A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 楊貴璞;曾明;范怡平;黃勇 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/04 | 分類號: | B24B37/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李湘;高為 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 減少 殘余 漿料 化學 機械拋光 方法 | ||
1.一種能減少殘余漿料的化學機械拋光方法,包括下列步驟:
研磨步驟,利用漿料來研磨晶圓的表面;以及
沖洗步驟,利用流體沖洗所述晶圓的表面以去除殘留在所述表面的漿料,
其中,在所述沖洗步驟中還向所述晶圓的表面輸送所述漿料。
2.如權利要求1所述的化學機械拋光方法,其中,所述流體為去離子水,所述漿料的PH值介于10-11之間。
3.如權利要求2所述的化學機械拋光方法,其中,在所述沖洗步驟中,所述漿料向所述晶圓的表面輸送的速率設定為使得所述晶圓的表面的PH值介于8-9之間。
4.如權利要求1所述的化學機械拋光方法,其中,所述研磨步驟包括:
研磨所述晶圓的表面的中央區域;以及
研磨所述晶圓的表面的邊緣區域。
5.如權利要求1所述的化學機械拋光方法,其中,所述沖洗步驟持續時間為6秒鐘。
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